平面柵VDMOS 詳細(xì)介紹

平面柵VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）是一種特殊類型的MOSFET，主要用于功率電子應(yīng)用。它結(jié)合了平面柵（Planar Gate）和垂直擴(kuò)散技術(shù)，以提高功率處理能力和開(kāi)關(guān)效率。

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

Structural characteristics

垂直結(jié)構(gòu)：

與傳統(tǒng)平面MOSFET不同，VDMOS的主要特點(diǎn)是其垂直結(jié)構(gòu)，即電流沿垂直方向流動(dòng)。這種設(shè)計(jì)使得器件能處理更高的功率。

雙重?cái)U(kuò)散（Double-Diffused）：

VDMOS的源極和漏極區(qū)域通過(guò)雙重?cái)U(kuò)散工藝形成。這種工藝允許在較低的電壓下獲得較高的電流承載能力。

平面柵（Planar Gate）：

柵極結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的平面MOSFET類似，使用一層氧化物隔離柵極與半導(dǎo)體之間的直接接觸。平面柵設(shè)計(jì)有助于控制溝道的導(dǎo)電性。

溝道（Channel）：

柵極施加電壓時(shí)，會(huì)在源極和漏極之間的半導(dǎo)體材料表面形成一個(gè)溝道，這個(gè)溝道是垂直于平面柵的。

工作原理

working principle

開(kāi)關(guān)特性：

當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，VDMOS形成導(dǎo)電溝道，允許電流從源極流向漏極。垂直結(jié)構(gòu)使其在高電壓下仍能保持高開(kāi)關(guān)效率。

功率處理：

由于其垂直結(jié)構(gòu)，VDMOS能夠承受較高的電壓和電流，適用于高功率應(yīng)用，如電源管理和電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

薩瑞產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

產(chǎn)品概述及特點(diǎn)

Product Overview and Features

薩瑞微提供500V-800V 平面柵VDMOS 。產(chǎn)品采用業(yè)界優(yōu)良的平面技術(shù)、獨(dú)特的器件設(shè)計(jì)，并結(jié)合薩瑞自有封裝優(yōu)勢(shì)，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗沖擊能力強(qiáng)。

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域

Product application areas

應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、照明、充電器、適配器、 DC-DC、吹風(fēng)機(jī)等。

產(chǎn)品選型

Product selection

應(yīng)用拓?fù)鋱D及應(yīng)用案例

吹風(fēng)機(jī)

充電器/適配器