非易失性存儲器（Non-Volatile Memory, NVM）是指即使在電源關閉或失去外部電源的情況下，仍能保持存儲數據的計算機存儲器。這類存儲器在數據保存方面具有重要的應用價值，特別是在需要長時間保持數據完整性的場合。以下是非易失性存儲器的主要類型及其特點：

1. ROM（Read-Only Memory，只讀存儲器）

ROM是最早的非易失性存儲器之一，其主要特點是數據一旦寫入后就不能被修改或刪除。ROM內部通常使用晶體管和二極管等半導體器件來存儲數據，通過改變晶體管的通道狀態來存儲二進制信息。ROM主要用于存儲固定不變的程序或數據，如計算機的BIOS（基本輸入輸出系統）程序、嵌入式系統的固件等。

2. PROM（Programmable Read-Only Memory，可編程只讀存儲器）

PROM是一種允許用戶通過特殊設備將數據寫入存儲器內部的非易失性存儲器。與ROM不同，PROM在出廠時是空白的，用戶可以根據需要寫入數據。PROM內部通常包含行列式的熔絲或反熔絲，通過電流或激光等方式燒斷或改變其狀態來存儲數據。一旦數據寫入，PROM就不能再被修改。

3. EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可編程只讀存儲器）

EPROM是一種可以通過特殊方式擦除并重新編程的非易失性存儲器。它利用紫外線照射來擦除存儲器中的數據，并通過電流寫入新的數據。EPROM內部包含可擦除的浮柵晶體管，這些晶體管在紫外線照射下會失去存儲的電荷，從而恢復到初始狀態。EPROM的擦除和編程過程相對復雜，需要專門的設備。

4. EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲器）

EEPROM是一種可以通過電場作用來擦除和重新編程的非易失性存儲器。與EPROM不同，EEPROM不需要紫外線照射來擦除數據，而是通過施加高電壓或高電場來改變存儲單元的電荷狀態。EEPROM的擦除和編程過程相對簡單，可以在設備內部完成，因此更加靈活和方便。

5. Flash Memory（閃存）

Flash Memory是一種廣泛使用的非易失性存儲器，它結合了EEPROM和EPROM的優點，具有高速擦寫、高存儲密度和低功耗等特點。Flash Memory以塊為單位進行數據的擦寫操作，而不是像EEPROM那樣以字節為單位。這使得Flash Memory在數據存儲和傳輸方面更加高效。Flash Memory被廣泛應用于各種電子設備中，如USB閃存驅動器、固態硬盤（SSD）、智能手機和平板電腦等。

6. 其他類型

除了上述幾種常見的非易失性存儲器外，還有一些其他類型的NVM也在不斷發展和應用中。例如：

• FRAM（Ferroelectric RAM，鐵電隨機存取存儲器） ：利用鐵電材料的極化特性來存儲數據，具有高速讀寫、低功耗和長壽命等優點。
• MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性隨機存取存儲器） ：利用磁性材料的磁化方向來存儲數據，具有非易失性、高速讀寫和長壽命等特點。
• PCM（Phase Change Memory，相變存儲器） ：利用材料的相變來存儲數據，具有高速讀寫、高密度和低功耗等優點。

總結

非易失性存儲器在計算機系統和各種電子設備中發揮著重要作用，它們能夠在電源關閉或失去外部電源的情況下保持數據的完整性。隨著技術的不斷發展，非易失性存儲器的類型也在不斷增加和完善，以滿足不同應用場景的需求。以上介紹的ROM、PROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory是目前最為常見和廣泛應用的非易失性存儲器類型。