東芝近日震撼發(fā)布新一代Mx11系列機械硬盤,專為超大規(guī)模企業(yè)和數(shù)據(jù)中心量身打造,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)潮流。該系列亮點紛呈,包括采用CMR傳統(tǒng)磁記錄技術(shù)的MG11系列,其最大容量高達24TB,穩(wěn)定可靠;以及采用創(chuàng)新SMR疊瓦式磁記錄技術(shù)的MA11系列,更是將存儲容量極限推至28TB,展現(xiàn)了東芝在硬盤技術(shù)上的深厚積累。
憑借東芝在硬盤領(lǐng)域超過50年的深厚底蘊與持續(xù)創(chuàng)新,將Mx11系列打造成為存儲容量與總擁有成本(TCO)效率的新標桿。這一突破性進展,不僅為數(shù)據(jù)中心客戶提供了前所未有的存儲解決方案,更助力他們在快速擴展基礎(chǔ)設(shè)施的同時,實現(xiàn)營運成本的精準優(yōu)化,提升整體運營效率與競爭力。東芝Mx11系列硬盤的問世,標志著數(shù)據(jù)存儲技術(shù)邁入了一個全新的發(fā)展階段。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
納芯微宣布推出新一代車規(guī)級16通道低邊架構(gòu)LED驅(qū)動器NSL23716x系列,該驅(qū)動器在滿足現(xiàn)代車身照明的復(fù)雜設(shè)計需求的同時,提供了高性價比、高功能指標的解決方案。
發(fā)表于 12-09 13:59
?224次閱讀
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布推出MG10-D系列企業(yè)級硬盤。該產(chǎn)品是傳統(tǒng)磁記錄 (CMR) 空氣
發(fā)表于 08-30 10:11
?529次閱讀
7月16日,Nullmax在上海舉辦“AI無止境,智變新開端”2024技術(shù)發(fā)布會,正式推出新一代自動駕駛技術(shù)Nullmax Intelligence(簡稱“NI”)。新技術(shù)著重于打造全場景的自動駕駛應(yīng)用,以純視覺、真無圖、多模態(tài)的技術(shù)特點,助力汽車智能進化。
發(fā)表于 07-17 09:32
?613次閱讀
全球物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的佼佼者移遠通信,近日隆重宣布推出新一代邊緣計算智能模組產(chǎn)品——SG368Z系列。這款模組憑借其卓越的性能和廣泛的適用性,迅速成為物聯(lián)網(wǎng)市場的焦點。
發(fā)表于 06-04 10:16
?830次閱讀
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)成功實現(xiàn)存儲容量超過 30TB[1] 的硬盤,其中采用兩項新一代大容量硬盤驅(qū)動器(HDDs)記錄技術(shù)
發(fā)表于 05-15 10:45
?398次閱讀
在智能手機技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
發(fā)表于 05-11 10:14
?467次閱讀
RECOM 在現(xiàn)有 RPM-xx-1.0/2.0/3.0/6.0 系列的基礎(chǔ)上,憑借尖端電路設(shè)計和封裝技術(shù)方面的專業(yè)知識,面向 12VDC 電源軌推出新一代芯片封裝的降壓式開關(guān)穩(wěn)壓器,進一步縮小尺寸并增加輸出電流,實現(xiàn)更高的功率
發(fā)表于 04-19 14:07
?671次閱讀
長電科技近日推出新一代“5G+”通信芯片封裝方案,致力于提升通信技術(shù)在惡劣環(huán)境下的可靠性和性能。
發(fā)表于 04-15 10:25
?617次閱讀
TE Connectivity(以下簡稱“TE”)推出新一代 RAST 5.0 高保持力連接器,創(chuàng)新的組裝方式讓保持力加強,提供更穩(wěn)定可靠的連接。
發(fā)表于 03-28 16:39
?850次閱讀
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品
發(fā)表于 03-12 10:27
?712次閱讀
在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
發(fā)表于 03-12 09:53
?643次閱讀
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的
發(fā)表于 03-12 09:43
?698次閱讀
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DT
發(fā)表于 02-22 18:22
?1425次閱讀
2024年1月18日,中星聯(lián)華科技(Sinolink Technologies)開啟“精益求精,源為心動”2024新春新品發(fā)布會,此次發(fā)布會中星聯(lián)華隆重推出新一代晶振級微波信號源--SLFS-Pro系列超低相噪微波信號源。
發(fā)表于 01-19 09:07
?615次閱讀
智譜AI近日宣布推出新一代基座大模型GLM-4。這一模型在整體性能上相較上一代實現(xiàn)了大幅提升,其表現(xiàn)已逼近GPT-4。
發(fā)表于 01-17 15:29
?1040次閱讀
評論