2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
產品優勢及應用
該模塊采用創新封裝和三相全橋設計，內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發電等領域。
1 應用領域：
電動汽車，氫能源汽車，高速電機驅動，光伏風能逆變，電網濾波。
2 產品特點：
三項全橋設計
內置 1200V SiC MOSFET，
內置熱敏電阻
模塊雜散電感 2.5nH
超低開關損耗
工作電源電壓大于 900V
工作節溫 175°C
銅 Pin-Fin 底板直接水冷散熱
模塊電路及結構圖
模塊及驅動板實物圖
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