1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu)，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢(shì)，為電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)、車(chē)載充電機(jī)及工業(yè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等提供了創(chuàng)新解決方案，推動(dòng)行業(yè)向更高效、更環(huán)保的方向邁進(jìn)。

該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。

該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)

產(chǎn)品性能及應(yīng)用

該模塊內(nèi)部搭載了6顆1200V/80mΩ愛(ài)仕特自研的第三代碳化硅芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。

模塊參數(shù)

電路拓?fù)鋱D

引腳定義圖

SiC MOSFET模塊與IGBT的比較優(yōu)勢(shì)

提升系統(tǒng)能效：在800V電壓平臺(tái)上，利用高頻優(yōu)勢(shì)，D21系列模塊的輕載損耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)IGBT，提升系統(tǒng)效率

拓寬運(yùn)行邊界：強(qiáng)化低轉(zhuǎn)速控制能力，提升壓縮機(jī)的運(yùn)行穩(wěn)定性

助力小型化：小尺寸的模塊設(shè)計(jì)，助力空調(diào)壓縮機(jī)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)緊湊化

適應(yīng)極端工況：高溫和超低溫環(huán)境下的穩(wěn)定工作能力，確保電動(dòng)汽車(chē)在極端氣候中的性能穩(wěn)定

提高制冷效率：降低控制器和電機(jī)損耗，提升空調(diào)系統(tǒng)制冷效率