MOS管介紹

在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。

MOS管導(dǎo)通特性

導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V, 其他電壓，看手冊）就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

MOS開關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右

MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

MOS管驅(qū)動

MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

Mosfet參數(shù)含義說明Features:Vds： DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻Id： 最大DS電流.會隨溫度的升高而降低Vgs: 最大GS電壓.一般為：-20V~+20VIdm: 最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關(guān)系Pd: 最大耗散功率Tj: 最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度Tstg: 最大存儲溫度Iar: 雪崩電流Ear: 重復(fù)雪崩擊穿能量Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量BVdss： DS擊穿電壓Idss: 飽和DS電流，uA級的電流Igss: GS驅(qū)動電流，nA級的電流.gfs: 跨導(dǎo)Qg: G總充電電量Qgs: GS充電電量 Qgd: GD充電電量Td(on): 導(dǎo)通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間Tr: 上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間Td(off): 關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間Tf: 下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。 Ciss: 輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.Coss: 輸出電容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向傳輸電容，Crss=Cgc.