隨著工業物聯網的到來，工廠發展漸趨智能化，互聯程度越來越高。例如，智能工廠的機器能夠通過傳感器節點獲取實時數據以偵測甚至提前發現故障，并通知控制系統采取糾正措施以修復故障。累積所得的數據可用于改進預測分析并實現對機器更優化的預防性維護, 從而縮短停工檢修時間。目前，停工檢修狀況難以預測并且代價高昂，以汽車制造商為例——每小時停工成本高達 130 萬美元。

數據收集作為工業物聯網發展的基石，通過實時感應獲取的數據進行預測性維護。因此，數據的安全性和可靠性就顯得極其重要，尤其是在故障發生的時候！

賽普拉斯的非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業系統處于“零數據風險”狀態，無論是在正常運行還是故障發生期間均可以完成安全可靠的數據備份。并且，賽普拉斯的 NVRAM 可提供近乎無限的讀寫耐久性，以確保工業系統的“數據可靠性”，加之無需電池進行數據備份，可安全保存數據超過 20 年。

NVRAM 產品用于多個工業市場，包括工業自動化、能源管理、工業控制、工業流程測量及測試測量。在所有細分市場中，NVRAM 可連續記錄實時系統數據，并在斷電或故障時自動記錄系統狀態數據。

上列框圖顯示了 NVRAM 的兩個關鍵任務型應用：用于自動化的可編程邏輯控制器(PLC) 以及用于流程測量的物聯網傳感器節點。在這兩個任務型應用中，NVRAM 獲取實時系統數據，并用于檢測、修復故障，從而防止未來潛在故障的發生。

另外，在 PLC 中，NVRAM 在斷電前獲取的最后一個系統狀態至關重要——用于確保 PLC 和所有連接的設備在恢復供電時以安全工作模式重新啟動。如果沒有這個功能，其他機器及周邊的人類安全會存在潛在風險。

賽普拉斯提供兩種類型的NVRAM：非易失性SRAM (nvSRAM)和鐵電RAM (F-RAM)。nvSRAM是一種快速的SRAM存儲器，每個SRAM單元均嵌入了一個 SONOS 非易失性存儲單元，用于斷電時保存數據。另一方面，F-RAM是一種快速寫入、高耐久、低功耗的非易失性存儲器，運用鐵電技術實現數據存儲。

另外，F-RAM 的功耗比串行 EEPROM 低 200 倍，比 NOR 閃存低 3000 倍，因此是作為物聯網傳感器節點等電池供電應用的理想選擇。nvSRAM 提供無限讀寫耐久性，而 F-RAM 具備 1014個周期的讀寫耐久性。系統斷電時，nvSRAM 和 F-RAM 通過自動存儲數據至非易失性存儲單元中，從而確保“零數據風險”。此外，EEPROM 等競爭技術通常有5-10 毫秒的頁寫入延遲，因此斷電時存在無法捕捉到最后臨界時刻系統數據的風險。

賽普拉斯的 NVRAM 產品具備近乎無限的寫入耐久性，并且能夠進行頻繁的實時數據捕獲，準確地監控系統和流程操作。閃存和 EEPROM 等浮柵技術的壽命僅為 106 個周期，無法支持頻繁的系統數據捕獲，且在其壽命耗盡時可能導致系統故障。與依靠電池供電的 SRAM 不同，NVRAM 能夠安全保存數據長達 20 余年，無需任何后備電源，從而進一步確保了“數據可靠性”。憑借賽普拉斯的 NVRAM 產品，工業系統每次都可以獲取并保護其關鍵任務數據。