1、正向偏置安全工作區
正向偏置安全工作區,如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、漏源通態電阻線Ⅲ和最大功耗限制線Ⅳ,4條邊界極限所包圍的區域。圖中示出了4種情況:直流DC,脈寬10ms,1ms,10μs。它與GTR安全工作區比有2個明顯的區別:①因無二次擊穿問題,所以不存在二次擊穿功率PSB限制線;②因為它通態電阻較大,導通功耗也較大,所以不僅受最大漏極電流的限制,而且還受通態電阻的限制。
2、開關安全工作區
開關安全工作區為器件工作的極限范圍,如圖5所示。它是由最大峰值電流IDM、最小漏極擊穿電壓BUDS和最大結溫TJM決定的,超出該區域,器件將損壞。
3、轉換安全工作區
因電力場效應管工作頻率高,經常處于轉換過程中,而器件中又存在寄生等效二極管,它影響到管子的轉換問題。為限制寄生二極管的反向恢復電荷的數值,有時還需定義轉換安全工作區。
器件在實際應用中,安全工作區應留有一定的富裕度。
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原文標題:【技術文章】mosfet的安全工作區
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