失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效，分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面積熔融，導致難以進一步判定其失效模式。

本文以常規(guī)MOS、IGBT場效應管為例，從芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行分析和明確過壓擊穿容易出現(xiàn)的失效位置及機理解釋。

承壓結(jié)構(gòu)分析根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)圖示，可見芯片關(guān)閉時，承受偏壓的結(jié)構(gòu)主要包括柵氧、PN交界面（橙色箭頭分布區(qū)域）。

不同承壓位置分析

元胞區(qū)柵氧與PN交界面耐壓分析分析

單個元胞，可見承壓主要由N-區(qū)耗盡層承擔。耗盡層的存在，使得電壓被均勻分擔到該面積區(qū)域內(nèi)。

實物芯片均由以上單個元胞（四方形、六角形、長條形等）重復排列組成，因此只要相鄰P區(qū)足夠近，耐壓導致的耗盡層就會重疊，最終表現(xiàn)為整個元胞區(qū)耗盡層底面近似平面。耗盡層將柵氧、PN交界面包覆在內(nèi)，承壓主要由耗盡層實現(xiàn)。

元胞區(qū)平面結(jié)與終端柱形結(jié)耐壓分析

芯片最終耐壓考量轉(zhuǎn)化為元胞耗盡層平面（平面結(jié)）與終端耗盡層曲面（柱形結(jié)）耐壓能力的對比。

目前業(yè)內(nèi)針對耗盡層耐壓能力的研究，主要借助泊松方程推算，最終得到耐壓與曲率半徑、耗盡層寬度的關(guān)系式。由于耗盡層寬度遠高于曲率半徑，因此算得柱形結(jié)耐壓強度遠低于平面結(jié)。（Fundamentals of Power Semiconductor Devices. B. Jayant Baliga.P107~111）從常理也不難理解，側(cè)面P摻雜主要為向下?lián)诫s的副產(chǎn)物，其厚度及濃度均較低，對應感應產(chǎn)生的耗盡層抗壓能力會弱很多。

終端柱形結(jié)與球形結(jié)耐壓分析

擴展到三維結(jié)構(gòu)，還需考慮P區(qū)摻雜兩個柱形結(jié)相交球形結(jié)。與柱形結(jié)同理，球形結(jié)位置對應擊穿電壓會更低。并且無論單個元胞形狀如何設計（四方形、六角形、長條型等），只要距離夠近其內(nèi)部摻雜區(qū)耗盡層均會重疊，最終均表現(xiàn)為最外圍球形結(jié)及耗盡層耐壓最差。

終端區(qū)場限環(huán)分析

針對此問題，業(yè)內(nèi)普遍選用場限環(huán)+場板的工藝結(jié)構(gòu)，進一步延伸終端耗盡層的分布區(qū)域，從而達到盡可能擴大承壓面積的目的。因此場限環(huán)的寬度、間距、數(shù)量成為決定器件耐壓的主要影響因素，也是各家產(chǎn)品設計重點關(guān)注方向。

總結(jié)

綜合以上分別對元胞區(qū)柵氧、PN交界面，耗盡區(qū)平面結(jié)、柱形結(jié)、球形結(jié)，終端區(qū)場限環(huán)的結(jié)構(gòu)、位置原理分析，可以明確芯片耐壓最脆弱位置往往表現(xiàn)在源區(qū)邊緣，特別是轉(zhuǎn)角位置。失效現(xiàn)象表現(xiàn)為較小面積的燒蝕黑點。

廣電計量服務能力

廣電計量在功率晶體管領(lǐng)域積累了豐富的失效機理及對應失效表現(xiàn)分析經(jīng)驗，包括但不限于：封裝失效類別及表現(xiàn)、電壓擊穿機理及表現(xiàn)、電流燒蝕機理及表現(xiàn)、柵氧缺陷機理及表現(xiàn)、動態(tài)/靜態(tài)閂鎖機理及表現(xiàn)、雪崩擊穿機理及表現(xiàn)、二次擊穿機理及表現(xiàn)、輻照失效機理及表現(xiàn)，協(xié)助客戶從半導體基礎原理深入分析其失效機理。