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莫大康匯編:火紅的2017全球半導體|求是緣半導體聯(lián)盟

莫大康 ? 2017-12-18 10:55 ? 次閱讀

01半導體

全球半導體銷售額經(jīng)歷了2000年時2000億美元,2010年3000億美元的臺階之后,2017年可能站上4000億美元。

據(jù)SIA于2017年3月的統(tǒng)計,全球半導體業(yè)于2010-2016年間的年均增長率(CAGR)小於2.5%。

不容懷疑導致今年全球半導體業(yè)火紅的最主要因素是趕上存儲器價格的暴漲,三季度結束時,IC Insights在最新報告中預測2017年全球半導體產業(yè)將增長20%,而Gartner于10月16日預測,2017年半導體的銷售額將增長19.7%,將達到4110億美元。

IC Insight于今年3月曾預測2017全球半導體業(yè)增長11%,而至10月時修正為增長22%。對于IC出貨量(unit)在年中時曾預測增長11%,而10月時修正為14%。

IC Insight預測2017年DRAM的平均銷售價格(ASP)增長77%,導致今年DRAM銷售額增長74%,這是自1994年增長78%以來的最高值。而對于NAND閃存,它的ASP增長38%,導致2017年銷售額增長44%。預計全球存儲器增長58%,以及2018年再增長11%。

IC Insights 預估,2017年DRAM 市場銷售額將達720 億美元,成為今年半導體產業(yè)中最大產品,大幅超越FLASH 市場498 億美元約220 億美元。由于今年存儲器的成長率強勁,2017年半導體銷售額增長22 %,其中存儲器便占13 個百分點,如果扣除DRAM 與FLASH的增長率,2017年半導體銷售額僅成長9%,明顯不足整體銷售額成長率22% 的一半。

據(jù)SIA的 2015年資料,全球IC的平均銷售價格(ASP)由1995年的0.65美元,到2015年時己下降到約0.45美元,中間雖有起伏,但是總的趨勢是下降的。所以此次存儲器價格的暴漲有它的偶然性方面。

02代工Foundry

自半導體工藝制程進入28納米之后,產業(yè)發(fā)生了一個根本性的轉變。也即尺寸縮小來推動產業(yè)呈定律模式的進步開始遲緩,導致眾多頂級IDM廠開始擁抱代工,而不再繼續(xù)大幅度的投資跟蹤定律。

在此轉換時刻,全球代工業(yè)得到迅速的增長,讓臺積電獲得更大的收益。業(yè)界認為,除了有素質高、優(yōu)秀的人才,及獨特的代工服務模式之外,它的業(yè)務專注應是臺積電成功的一大關鍵。

不少企業(yè)隨著規(guī)模擴大,往往會從事延伸的投資,臺積電則是始終專注晶圓代工本業(yè)。

臺積電在它的今年Q3法說上認為行動裝置、AI人工智能智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)四大領域,將是未來十年支撐臺積電持續(xù)穩(wěn)坐晶園代工龍頭的四根大柱。

據(jù)Digitimes Research的研究,在2017年至2022年期間,因智能手機搭載IC數(shù)量增加與對先進制程需求提升,加上包括IoT、AR/VR汽車電子、高效能電算市場都有機會在未來5年進入成長期,預測2017年全球代工增長6%,達到557億美元,而至2022年時將達746.6億美元,2017年至2022年復合成長率(CAGR)將為6%。2017年臺積電預估增長7%, 及它的市占率達56%。

由于全球代工獲利豐厚,而幾乎由臺積電獨享,導致三星英特爾等眼紅,紛紛涉足代工,而且聲勢都很高,所以全球代工,尤其是高端代工大戰(zhàn)在即。

然而張忠謀認為三星和英特爾兩家各自有長處,也各自有缺點,三星的長處是非常有決心、非常有毅力,一旦決定要做什么事,最高階層決定后,整個公司是拼命執(zhí)行,這是很了不起的一個組織,高階一旦決定下令,全體就會凝聚在一起把目標達成,三星已經(jīng)證明很多次了。

英特爾的長處是有很豐厚的技術及經(jīng)營基礎,好幾十年來都是全球半導體產業(yè)第一名,英特爾最大的缺點是在Foundry產業(yè)沒有經(jīng)驗,因為這個行業(yè)的企業(yè)文化是很重要的,F(xiàn)oundry是「服務」的企業(yè)文化,意即是服務別的公司,但英特爾的技術部門長期以來都是服務自己,這與真正的Foundry文化是徹底不同的。

03編后記

產業(yè)周期性下降不可避免

由于供需關系的不斷改變,只能是動態(tài)平衡,估計未來半導體業(yè)的周期性下降不可避免,差別在于峰谷值的大小。未來有三個方面因素:首先是此次由于存儲器的平均售價大漲,導致三星、美光等利益豐厚,必然招致產能擴充過剩,再加上中國還有三家存儲器新進者的加入。業(yè)界普遍預測存儲器的價格持續(xù)上升可能性并不大,會受到終端電子產品的報復,所以預測在2019年時可能會進入下降時段。另一個因素是新興技術,包括如EUV光刻設備導入,2D NAND轉為3D NAND及DRAM的堆疊技術,以及工藝制程進入5納米與以下等都有相當大的技術壁壘,推進速度一定比預期的緩慢。最后一個關鍵因素,終端電子產品不可能再找到如手機那樣,單一品種,數(shù)量達10億個以上,未來的物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、及自動駕駛等產品市場都較為分散,或者如汽車電子,對于可靠性要求 極高,以及產品的認證周期很長。

另外,據(jù)預測全球半導體業(yè)在2016 to 2021年期間的年均增長率(CAGR)為4-5%,高于同期的GDP。

中國半導體業(yè)的投資速率會比預期緩慢

據(jù)SEMI統(tǒng)計,近期中國半導體業(yè)至少有15個fab新建項目,至2018年時有可能半導 體投資達到120億美元,居全球的前列。但是相信未來中國半導體投資的變數(shù)多,決定于先進工藝制程及存儲器產品的突破進程,從大概率的分析,由于受先進工藝制程技術的限制,產能的爬坡速率不會太快,即“有效的產能”(能真正產生銷售額的產能)暫時不可能太大,所以估計2019年,甚至2020年的投資速率會比預期緩慢,金額會比預測值小些,能達到50-70%,已是相當?shù)牟诲e。

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莫大康:浙江大學校友,求是緣半導體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導體產業(yè)發(fā)展歷程的著名學者、行業(yè)評論家。

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