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LED工藝概述及外延片工藝流程

saQp_aidun23181 ? 2017-11-27 14:55 ? 次閱讀

LED(Light Emitting Diode),發光二極管(多指LED背光源),是一種固態的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連接電源的正極,使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由三部分組成,一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電子,中間通常是1至5個周期的量子阱。當電流通過導線作用于這個晶片的時候,電子和空穴就會被推向量子阱,在量子阱內電子跟空穴復合,然后就會以光子的形式發出能量,這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的材料決定的。

工藝概述

LED(Light Emitting Diode),發光二極管,簡稱LED,,是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連接電源的正極使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成,一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候,它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候,電子就會被推向P區,在P區里電子跟空穴復合,然后就會以光子的形式發出能量,這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成P-N結的材料決定的。 它是一種通過控制半導體發光二極管的顯示方式,用來顯示文字、圖形、圖像、動畫、行情、視頻、錄像信號等各種信息的顯示屏幕。由于具有容易控制、低壓直流驅動、組合后色彩表現豐富、使用壽命長等優點,廣泛應用于城市各工程中、大屏幕顯示系統。LED可以作為顯示屏,在計算機控制下,顯示色彩變化萬千的視頻和圖片。 LED是一種能夠將電能轉化為可見光的半導體。

LED外延片工藝流程:

近十幾年來,為了開發藍色高亮度發光二極管,世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業化的產品如藍光及綠光發光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了III-V族元素所蘊藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術中,紅色及綠色發光二極管之外延技術大多為液相外延成長法為主,而黃色、橙色發光二極管目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP材料為主。

一般來說,GaN的成長須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解,另外一方面由動力學仿真也得知NH3和MO Gas會進行反應產生沒有揮發性的副產物。

LED外延片工藝流程如下:

襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 -多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測(光熒光、X射線) - 外延片

外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - P型電極(鍍膜、退火、刻蝕) - 劃片 - 芯片分檢、分級

具體介紹如下: 固定:將單晶硅棒固定在加工臺上。 切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。 退火:雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發生反應,使硅片表面形成二氧化硅保護層。 倒角:將退火的硅片進行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。 分檔檢測:為保證硅片的規格和質量,對其進行檢測。此處會產生廢品。 研磨:用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。 清洗:通過有機溶劑的溶解作用,結合超聲波清洗技術去除硅片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。 RCA清洗:通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下: SPM清洗:用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很強的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液,并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。 DHF清洗:用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中,同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。 APM清洗: APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(約6nm呈親水性),該氧化膜又被NH4OH腐蝕,腐蝕后立即又發生氧化,氧化和腐蝕反復進行,因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。 HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM,用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。 DHF清洗:去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。 磨片檢測:檢測經過研磨、RCA清洗后的硅片的質量,不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。 腐蝕A/B:經切片及研磨等機械加工后,晶片表面受加工應力而形成的損傷層,通常采用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕,用混酸溶液去除損傷層,產生氟化氫、NOX和廢混酸;腐蝕B是堿性腐蝕,用氫氧化鈉溶液去除損傷層,產生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A,一部分采用腐蝕B。 分檔監測:對硅片進行損傷檢測,存在損傷的硅片重新進行腐蝕。 粗拋光:使用一次研磨劑去除損傷層,一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。 精拋光:使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1 um以下,從而的到高平坦度硅片。產生精拋廢液。 檢測:檢查硅片是否符合要求,如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。 檢測:查看硅片表面是否清潔,表面如不清潔則從新刷洗,直至清潔。

包裝:將單晶硅拋光片進行包裝。

芯片到制作成小芯片之前,是一張比較大的外延片,所以芯片制作工藝有切割這快,就是把外延片切割成小芯片。它應該是LED制作過程中的一個環節

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原文標題:LED你真的懂嗎?

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