對于Cool-MOS的簡述

對于常規VDMOS 器件結構， Rdson 與BV 這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和，這就是常規VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI 的的P 區，大大提高了BV，同時對Rdson 上不產生影響。對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區界面的PN 結，對于一個PN 結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積。常規VDSMO，P body 濃度要大于N EPI，大家也應該清楚，PN 結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body 區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI 在N 型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN 結面，電場強度E 越大。對于COOLMOS 結構，由于設置了相對P body 濃度低一些的P region 區域，所以P 區一側的耗盡區會大大擴展，并且這個區域深入EPI 中，造成了PN 結兩側都能承受大的電壓，換句話說，就是把峰值電場Ec 由靠近器件表面，向器件內部深入的區域移動了。

Cool-MOS的優勢

1.通態阻抗小，通態損耗小。

由于SJ-MOS 的Rdson 遠遠低于VDMOS，在系統電源類產品中SJ-MOS 的導通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統產品上面的單體MOSFET 的導通損耗，提高了系統產品的效率，SJ-MOS的這個優點在大功率、大電流類的電源產品產品上，優勢表現的尤為突出。

2.同等功率規格下封裝小，有利于功率密度的提高。

首先，同等電流以及電壓規格條件下，SJ-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積，這樣作為MOS 的廠家，對于同一規格的產品，可以封裝出來體積相對較小的產品，有利于電源系統功率密度的提高。

其次，由于SJ-MOS 的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內。由于SJ-MOS 可以有效的減少發熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統電源類產品的功率密度。

3.柵電荷小，對電路的驅動能力要求降低。

傳統VDMOS 的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經常會遇到由于IC 的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產品在電路設計中為了增加IC 的驅動能力，確保MOSFET 的快速導通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅動電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提高了系統產品的可靠性。

4.節電容小，開關速度加快，開關損耗小。

由于SJ-MOS 結構的改變，其輸出的節電容也有較大的降低，從而降低了其導通及關斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS 柵電容也有了響應的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS 的開關速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高整個電源系統的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯。

Cool-MOS 系統應用可能會出現的問題

1.EMI 可能超標。

由于SJ-MOS 擁有較小的寄生電容，造就了超級結MOSFET 具有極快的開關特性。因為這種快速開關特性伴有極高的dv/dt 和di/dt，會通過器件和印刷電路板中的寄生元件而影響開關性能。對于在現代高頻開關電源來說，使用了超級結MOSFET，EMI 干擾肯定會變大，對于本身設計余量比較小的電源板，在SJ-MOS 在替換VDMOS 的過程中肯定會出現EMI 超標的情況。

2.柵極震蕩。

功率MOSFET 的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴，由于超級結MOSFET 具有較高的開關dv/dt。其震蕩現象會更加突出。這種震蕩在啟動狀態、過載狀況和MOSFET 并聯工作時，會發生嚴重問題，導致MOSFET 失效的可能。

3.抗浪涌及耐壓能力差。

由于SJ-MOS 的結構原因，很多廠商的SJ-MOS 在實際應用推廣替代VDMOS 的過程中，基本都出現過浪涌及耐壓測試不合格的情況。這種情況在通信電源及雷擊要求較高的電源產品上，表現的更為突出。這點必須引起我們的注意。

4.漏源極電壓尖峰比較大。

尤其在反激的電路拓撲電源，由于本身電路的原因，變壓器的漏感、散熱器接地、以及電源地線的處理等問題，不可避免的要在MOSFET 上產生相應的電壓尖峰。針對這樣的問題，反激電源大多選用RCD SUNBER 電路進行吸收。由于SJ-MOS 擁有較快的開關速度，勢必會造成更高的VDS 尖峰。如果反壓設計余量太小及漏感過大，更換SJ-MOS 后，極有可能出現VD 尖峰失效問題。

5.紋波噪音差。

由于SJ-MOS 擁有較高的dv/dt 和di/dt，必然會將MOSFET 的尖峰通過變壓器耦合到次級，直接造成輸出的電壓及電流的紋波增加。甚至造成電容的溫升失效問題的產生。