ESD靜電放電的威脅和破壞。靜電放電產生的瞬間高電壓和高電流可能直接對DVI接口的電路造成損害,如擊穿絕緣層、損壞電子元件等。此外,靜電放電還可能引入噪聲干擾,影響DVI接口的信號傳輸質量。本文針對雙通道DVI接口采用低電容低鉗位電壓的ESD靜電防護器件 ,在不影響數據傳輸的前提下滿足阻抗要求,讓后端的電路得到有效防護。
DVI接口概述
DVI是基于TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)轉換最小差分信號技術來傳輸數字信號,TMDS運用先進的編碼算法把8bit數據(R、G、B中的每路基色信號)通過最小轉換編碼為10bit數據(包含行場同步信息、時鐘信息、數據DE、糾錯等),經過DC平衡后,采用差分信號傳輸數據,它和LVDS(低電壓差分信號)、TTL(通過鏡頭)相比有較好的電磁兼容性能,可以用低成本的專用電纜實現長距離、高質量的數字信號傳輸。DVI接口主要分為3種類型: DVI-A,DVI-D,DVI-I。
DVI-D(DVI-Digital)接口,是純數字接口,不兼容模擬信號;DVI-D有18個或24個數字插孔+ 1個扁形插孔。
Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment |
1 | T.M.D.S Data2- | 9 | T.M.D.S Data1- | 17 | T.M.D.S Data0- |
2 | T.M.D.S Data2+ | 10 | T.M.D.S Data1+ | 18 | T.M.D.S Data0+ |
3 | T.M.D.S Data2/4 Shield | 11 | T.M.D.S Data1/3 Shield | 19 | T.M.D.S Data0/5 Shield |
4 | T.M.D.S Data4- | 12 | T.M.D.S Data3- | 20 | T.M.D.S Data5- |
5 | T.M.D.S Data4+ | 13 | T.M.D.S Data3+ | 21 | T.M.D.S Data5+ |
6 | DDC Clock | 14 | +5V Power | 22 | T.M.D.S Clock Shield |
7 | DDC Data | 15 | Ground(for +5V) | 23 | T.M.D.S Clock+ |
8 | No Connect | 16 | Hot Plug Detect | 24 | T.M.D.S Clock- |
DVI-I(DVI-Integrated)接口,兼容DVI-I和DVI-D兩種插頭,兼容數字和模擬信號,有18個或24個數字插孔+5個模擬信號的插孔。目前,顯卡一般采用DVI-I接口,其通過轉換接頭,可以連接到普通的VGA接口。通常,顯示器帶兩個DVI接口,或者DVI、VGA接口各一個。
Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment |
1 | T.M.D.S Data2- | 9 | T.M.D.S Data1- | 17 | T.M.D.S Data0- |
2 | T.M.D.S Data2+ | 10 | T.M.D.S Data1+ | 18 | T.M.D.S Data0+ |
3 | T.M.D.S Data2/4 Shield | 11 | T.M.D.S Data1/3 Shield | 19 | T.M.D.S Data0/5 Shield |
4 | T.M.D.S Data4- | 12 | T.M.D.S Data3- | 20 | T.M.D.S Data5- |
5 | T.M.D.S Data4+ | 13 | T.M.D.S Data3+ | 21 | T.M.D.S Data5+ |
6 | DDC Clock | 14 | +5V Power | 22 | T.M.D.S Clock Shield |
7 | DDC Data | 15 | Ground(for +5V) | 23 | T.M.D.S Clock+ |
8 | Analog Vertical Sync | 16 | Hot Plug Detect | 24 | T.M.D.S Clock- |
C1 | Analog Red | C2 | Analog Green | C3 | Analog Blue |
C4 | Horizontal Sync Analog | C5 | Analog Ground (analog R,G,&B return) |
DVI接口的ESD防護
理想的保護器件應兼具低ESD峰值鉗位電壓和低動態電阻的優越特性,以有效限制電壓尖峰并減少能量損耗。在為DVI接口選擇ESD保護器件時我們需要考慮如下要求:
1. 極低電容
每個鏈路有6條數據差分線(即D0±,D1±,D2±, D3±,D4±,D5±),外加一個時鐘(CLK±)。對于單個鏈路,每條鏈路上的最大吞吐量可接近4.95Gbps或1.65Gbps;對于雙鏈路,每條鏈路上的最大吞吐量可達到總共8Gbps或2.67Gbps。為了保持信號的完整性,必須使用非常低電容的器件、
2. 工作電壓
保護二極管的反向工作電壓 (VRWM)必須大于受保護系統的工作電壓。
3. 漏電流
經過若干次ESD沖擊后,防護性能不退化且泄漏保持在較低水平
4.封裝
PCB設計層面,對布線進行優化,實現高效封裝布局。每個端口需要8個保護通道。
5. IEC 61000-4-2 等級
IEC 61000-4-2 測試標準定義了實際的 ESD 沖擊。該標準包含兩項測量:接觸放電和空氣放電。接觸和空氣等級越高,器件能夠承受的電壓就越高。
應用方案
我們以雙通道DVI-I接口為例,推薦兩款電氣特性相似的十引腳集成式ESD防護器件,專為保護該接口的高速差分線路而設計,可同時保護四條差分數據線,型號分別為SEUC10F5V4U和SEUC10F5V4UB。集成式器件的流通式封裝設計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續性,促進了信號完整性和系統穩定性的提升。兩款器件的工作電壓為 5 V,鉗位電壓為12V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,可在±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護。SEUC10F5V4UB的電容較低,客戶可根據線路實際情況進行選擇。
其他通道的防護采用了集成多路ESD靜電二極管SEUC236T5V4U,可同時保護的五個引腳免受靜電放電(ESD)和低等級浪涌事件的沖擊與干擾。它的工作電壓為 5 V,結電容僅有0.6pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規范,在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護。
型號參數
規格型號 | 方向 | 工作電壓(V) | IPP(A) | 鉗位電壓(V) | 結電容(pF) | 封裝 |
SEUC10F5V4U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6/0.3 | DFN2510-10L |
SEUC10F5V4UB | Uni. | 5 | 3 | 12 | 0.4/0.2 | DFN2510-10L |
SEUC236T5V4U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6 | SOT-23-6L |
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameters | Symbol | conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
Reverse stand-off voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT= 1mA | 6.0 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Peak Pulse Current | IPP | TP=8/20us@25℃ | 4.5 | A | ||
Clamping Voltage | VCL | IPP=1A; TP=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
Clamping Voltage | VCL | IPP=4.5A; TP=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
Junction capacitance | CJ |
I/O pins to ground; VR=0V; f = 1MHz |
0.6 | pF | ||
Between I/O pins; VR=0V; f = 1MHz |
0.3 |
表1 SEUC10F5V4U電氣特性表
Parameters | Symbol | conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
Reverse stand-off voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT= 1mA | 6.0 | 7.5 | 8.5 | V |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VCL | IPP=1A; TP=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
Clamping Voltage | VCL | IPP=3A; TP=8/20us | 12.0 | 15.0 | ||
Junction capacitance | CJ |
I/O pins to ground; VR=0V; f = 1MHz |
0.4 | 0.5 | pF | |
Between I/O pins; VR=0V; f = 1MHz |
0.2 | 0.25 |
表2 SEUC10F5V4UB電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.0 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=4.5A; tp=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 0.6 | 1.0 | pF | |
Between I/O; VR=0V; f=1MHz | 0.3 | 0.5 |
表3 SEUC236T5V4U電氣特性表
總結與結論
盡管隨著技術的不斷進步和新型接口的普及,DVI接口在日常生活中的重要性正在逐漸降低,被HDMI和DisplayPort等更先進的接口所取代,但仍然具有一定的重要性和應用價值,保護DVI接口免受ESD靜電損害是保持系統穩定運行的關鍵環節。
ELECSUPER SEMI研發各種低電容低鉗位電壓的ESD保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發服務,為各種接口提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護DVI接口的優選之策,確保影像的正常顯示。
審核編輯 黃宇
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