作者: Martin Schulz, Littelfuse全球首席應用工程師
針對應用于2兆瓦范圍的電力電子系統,當下關注的焦點是采用何種技術以及具有多久的生命周期。
常見的功率半導體模塊有兩種,一種是傳統的焊接鍵合型功率半導體模塊,另一種是具有相同額定功率的壓接型功率半導體模塊,如圖1、圖2所示。
預期使用壽命主要由功率循環(PC)進行驗證。半導體中的電流變化會導致組裝和連接產生溫度偏差,上電最初幾秒內的熱波動使得鍵合線由于熱膨脹而產生微小移動。長遠來看,這些移動會導致諸如鍵合線脫落或在鍵合點斷裂的缺陷。
如果脈沖持續時間延長,結構中各個部件會發熱,由于每一層的熱膨脹系數不同,會導致機械應力的產生。長期來看,機械應力會導致鍵合層的分解和分層。最終,接觸熱阻增加,器件因發熱而失效。
壓接型結構無需鍵合線,且不存在大面積焊線,因此,與焊接型結構相比,壓接型IGBT理應能允許更多次的功率循環。
然而,圖3和圖4中相應曲線的比較最初似乎反駁了這一點。
觀察圖表中80K溫度波動下的循環次數,壓接型器件是30,000次循環而焊接鍵合型模塊是200,000次循環,為壓接型器件的六倍之多。
壓接型器件真的過早失效嗎?
經驗表明,這種情況不會發生。有些配備了壓接型晶閘管的系統運行幾十年并未發生失效,但是圖表曲線為什么沒有反映這一點呢?
乍一看確實沒有,但若深入研究就會發現測試邊界條件不同。
焊接鍵合型模塊的功率循環通過施加1.5秒持續脈沖來實現。通電后焊接線處產生的較小熱量使得芯片達到所需溫度,斷電后1.5秒內再次冷卻回到初始溫度,因此一個循環的時間為3秒。
壓接型器件的熱容量由與其接觸的固體金屬板決定,這些銅盤通常重達幾百克,幾乎不會在幾秒鐘內產生溫升。將器件加熱到所需溫度的典型循環周期是導通3分鐘,冷卻2分鐘,整個周期持續5分鐘。
因此,使用焊接鍵合技術在80K波動下進行100,000次循環操作需耗時300,000秒,相當于83小時或三天多一點的時間。相比之下,壓接型器件每5分鐘一個周期,共100,000個周期的循環測試,需要耗時347天。
另一值得注意的是:壓接型器件的曲線顯示“測試通過”是一項例行測試,可確保器件滿足最低要求但并不意味著產品已達到壽命時間,100%的壓接型器件都需要達到這個結果。
相比之下,焊接鍵合模塊的PC曲線顯示“測試失敗”,則意味著在此循環次數下器件已達到了使用壽命。根據標準規范,這種情況下的測試結果僅限于95%的測試部件。100%的測試曲線通常比壽命結束時的曲線低一個數量級。
因此,壓接型器件的PC曲線是極其保守的表述。
為什么制造商不為壓接型器件提供“測試失敗”曲線呢?
經驗表明,壓接型器件幾乎不受功率循環的影響,并且不會由于施加負載而現場失效。因此,“通過測試”曲線肯定比“失敗測試”曲線低至少2個數量級。
即使在160K的溫度波動下壓接型器件不是承受2000次的循環測試,而是高出兩個數量級,相當于200,000次循環,這將使得測試持續時間為100萬分鐘,約近700天。由于繪制曲線需要至少兩個或三個測量點,因此需要在60K和100K的溫度波動下進行額外的測試。
對于60K的溫度波動,曲線上顯示需要100,000次循環,那么再多一個數量級就意味著100萬次循環、500萬分鐘或近10年的測試周期。
此外,這些測試中每個子單元至少需要1.5kW的功率,一個器件則需要相當于不低于30kW的測試功率。測試在高溫下進行,目標是通過加速手段達到實際的壽命時間,但這反應出另一個困難。測試中的失效并沒有影響壓接型器件,在測試器件出現任何損壞之前,測試設備本身就因電源循環而出現失效。
這對設計意味著什么?
電力電子學中,功率循環主要與焊接鍵合的失效有關,但是壓接型封裝結構不存在此失效機理。此外,壓接型器件的大熱容意味著半導體的升溫速度要慢得多,雙面冷卻也減少了相同功率下的溫度波動。
綜合來看,緩解效應意味著經典的“功率循環”失效機理不會對壓接型器件的壽命產生影響,這也是該設計應用于鐵路、船舶推進系統和電解工廠的原因之一。這些應用中,20年內的使用壽命預計可達160,000個小時。
作者簡介
Martin Schulz博士于2021年2月加入Littelfuse,擔任全球首席應用工程師。他負責電動商用車的功率半導體、充電基礎設施、儲能系統和工業驅動技術。他是功率半導體封裝和互連技術以及功率半導體熱管理方面的專家。Martin Schulz在電力電子領域擁有20多年的經驗,是IEEE高級會員。
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原文標題:【技術文章】功率循環 VS 功率循環
文章出處:【微信號:Littelfuse_career,微信公眾號:力特奧維斯Littelfuse】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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