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新思科技發布1.6納米背面布線技術,助力萬億晶體管芯片發展

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-09-30 16:11 ? 次閱讀

近日,新思科技(Synopsys)宣布了一項重大的技術突破,成功推出了1.6納米背面電源布線項目。這一技術將成為未來萬億晶體管芯片制造過程中的關鍵所在。

據了解,新思科技與臺積電正在攜手合作,共同開發適用于臺積電A16 1.6納米工藝的背面布線功能。這項技術的核心在于解決萬億晶體管設計中所面臨的電源分配和信號布線問題。隨著芯片集成度的不斷提高,傳統的布線方式已經難以滿足日益復雜的設計需求,而1.6納米背面布線技術的出現,無疑為這一難題提供了全新的解決方案。

為了確保設計團隊能夠高效地進行物理驗證,并順利過渡到臺積電N2 2納米技術,新思科技還提供了互操作工藝設計工具包(iPDK)以及IC Validator物理驗證運行集。這些工具將幫助設計團隊應對日益復雜的物理驗證規則,從而提高設計效率和質量。

在萬億晶體管多芯片設計中,功率管理是一個至關重要的因素。新思科技的1.6納米背面布線技術不僅優化了電源分配,還提高了信號傳輸的穩定性和效率,從而確保了芯片在高性能運行下的穩定性和可靠性。

隨著技術的不斷進步,新思科技與臺積電的這一合作無疑將為全球芯片制造業帶來全新的發展機遇。我們有理由相信,在不久的將來,萬億晶體管芯片將成為現實,并為人類社會帶來更加便捷、高效的科技體驗。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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