投資的大幅度增長和戲劇性的衰退，在半導體行業(yè)的發(fā)展過程中曾經(jīng)多次出現(xiàn)過。

而其中最戲劇性的兩次衰退分別出現(xiàn)在2001年和2009年，而衰退則主要歸因于經(jīng)濟因素。但是從總體的發(fā)展趨勢來看，在一段時間的衰退之后，半導體行業(yè)總會迎來一兩年的投資增長時期。

而這一次，隨著連續(xù)三年的晶圓廠投資增長，半導體行業(yè)將進入“WOW”時代，這種模式從上世紀90年代中期之后就再也沒有出現(xiàn)過。

為什么這一次的增長與眾不同呢？諸如移動應用、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、汽車、工業(yè)、AR/VR、人工智能和5G等多種多樣的技術(shù)增長驅(qū)動半導體行業(yè)實現(xiàn)長期的增長。其中的任何一項技術(shù)都能夠刺激半導體行業(yè)再一次實現(xiàn)增長，進入“WOW”時代。

在這些技術(shù)的驅(qū)動之下，2016年到2021年，半導體行業(yè)收入的年平均符合增長率將會達到6%，之前這一數(shù)字僅為2.3%，甚至在2017年半導體行業(yè)收入也是首次突破了4000億美元的里程碑。

終端應用對于芯片的需求不斷高漲，內(nèi)存價格的不斷提升，使得半導體行業(yè)的競爭日益激烈。這些都促使行業(yè)不斷增加晶圓廠的投資，甚至于很多公司用于新的晶圓廠建設(shè)和設(shè)備的投資水平達到了前所未有的水平。見下圖一。

圖一

2017年12月4日發(fā)布的世界晶圓工廠預測報告顯示，2017年晶圓廠設(shè)備支出總額將達到570億美元，同比增長41%。到2018年，預計支出將再增長11%，達到630億美元。可以說，2017年和2018年這兩次晶圓廠設(shè)備支出總額的增長都是推動整個半導體產(chǎn)業(yè)投資增長的因素，也是晶圓廠投資持續(xù)兩年增長的結(jié)果。

但是報告顯示，在這些歷史性的大型投資之后，2019年，行業(yè)投資將會放緩。

資料顯示，諸如英特爾、美光、東芝（和西數(shù)）以及格芯在2017年和2018年增加了對于晶圓廠的投入。但是推動半導體行業(yè)這兩年強勁增長的主要因素并不是以上這些公司，而是另外一家公司，而且是集中在一個領(lǐng)域。見圖二。

圖二

2017年第一次投資增長主要歸功于韓國，尤其是三星。據(jù)估計，在2017年，三星在晶圓廠的設(shè)備開支從80億美元增長到了180億美元，增長幅度達到了128%，甚至于沒有任何一家公司的指出能夠超過三星。

除此之外，SK海力士公司在晶圓廠的設(shè)備支出也增加了70%，達到了55億美元，也是該公司歷史上最大的開支。

但是，盡管三星和SK海力士的大部分投資是在韓國國內(nèi)，但是也有一部分在中國以及美國。預計，2018年，三星和SK海力士將會保持同樣的高投資水平。

2018年第二次大的投資增長來自于中國。2017年，中國建設(shè)了很多晶圓廠，這些工廠在2018年都需要部署設(shè)備。

這與過去有很大不同，在過去，非中國企業(yè)在中國晶圓廠的開支投入始終占據(jù)主要部分，2018年，中國企業(yè)的開支投入將會持續(xù)追趕，其份額將會追趕上非中國企業(yè)。

從2013年到2017年，中國企業(yè)在中國晶圓廠的設(shè)備支出投產(chǎn)維持在15億美元和25億美元之間，非中國企業(yè)的設(shè)備支出則維持在25億到50億美元之間。

2018年，中國企業(yè)的晶圓廠設(shè)備支出將會增長到58億美元，非中國企業(yè)則為67億美元。許多國內(nèi)公司，譬如長江存儲的設(shè)備支出都出現(xiàn)了大幅度增長。

2017年和2018年晶圓廠的設(shè)備開支由于不斷增長的需求，創(chuàng)造了歷史記錄，這些在報告中也有提及。

此外，中國的晶圓廠建筑支出也達到了歷史新高：2017年為60億美元，2018年為66億美元，在此之前沒有任何一個地區(qū)能夠在一年內(nèi)投入超過60億美元的建設(shè)資金。

這同時也意味著，在未來幾年，隨著這一波工廠的建設(shè)，還將會投入更多的設(shè)備支出。見圖三。

圖三

考慮到以上這些刺激因素，我們有理由對半導體行業(yè)的發(fā)展持肯定態(tài)度。即使可能出現(xiàn)放緩的情況，整個半導體行業(yè)都會保持穩(wěn)定的增長。