說(shuō)起電腦內(nèi)存，大家相當(dāng)?shù)牡谝挥∠髴?yīng)該多是的爆內(nèi)存了。現(xiàn)在的內(nèi)存空間占用越來(lái)越大，曾經(jīng)的2/4G都不夠普通使用，更別提游戲了。

其實(shí)內(nèi)存的參數(shù)還有很多，像內(nèi)存類(lèi)型、工作頻率、接口類(lèi)型這些簡(jiǎn)單的參數(shù)，很多人都印象模糊，對(duì)更深入的內(nèi)存時(shí)序就更摸不著頭腦了。下面簡(jiǎn)單了解一下：

內(nèi)存頻率

和CPU一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率，頻率越高代表內(nèi)存處理速度越快。但高頻也內(nèi)存體質(zhì)要求更高，價(jià)格更貴。目前DDR3的入門(mén)頻率為1333MHz，而DDR4為2400MHz起步。

內(nèi)存容量

內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價(jià)格的因素，同時(shí)也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素。現(xiàn)在64位操作系統(tǒng)中，沒(méi)有4GB以上的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。

因此在目前，單根內(nèi)存的容量主要有4GB、8GB、16GB三種為主，用戶通過(guò)雙通道或四通道，組建更大容量的內(nèi)存容量。

工作電壓

內(nèi)存工作的電壓值有所不同，例如DDR3內(nèi)存的工作電壓一般在1.6V左右，DDR4電壓在1.2V。不僅是因?yàn)楦碌瞥烫岣撸偷碾妷阂哺线m筆記本等移動(dòng)設(shè)備的續(xù)航。

當(dāng)然一些高頻內(nèi)存需要工作也會(huì)稍高于標(biāo)準(zhǔn)電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。

內(nèi)存時(shí)序參數(shù)

一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“8-8-8-24”這一類(lèi)的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

簡(jiǎn)單的說(shuō)，這個(gè)序列代表著內(nèi)存控制指令的間隔時(shí)間，序列低速度就快，但也容易出錯(cuò)。因此內(nèi)存出廠時(shí)會(huì)根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)，制定好合適的內(nèi)存時(shí)序。

內(nèi)存超頻使用

很多DIY玩家都樂(lè)于嘗試超頻，但實(shí)際上超頻并想象中高深莫測(cè)。理解了簡(jiǎn)單的內(nèi)存參數(shù)，超頻也并非難事。

內(nèi)存規(guī)格參數(shù)-臺(tái)電系列DDR4-2400 8G

內(nèi)存超頻顧名思義，就是讓內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率上。比如買(mǎi)了DDR4-2400的內(nèi)存，超頻到2666下穩(wěn)定運(yùn)行，那內(nèi)存的速度就更快，從而壓榨出更高的性價(jià)比。

具體操作是通過(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)內(nèi)存時(shí)序、電壓等參數(shù)，尋找適合內(nèi)存體質(zhì)的更高頻率。多數(shù)的普條并不支持超頻，少數(shù)可小幅度超頻的則被稱(chēng)為“神條”。

臺(tái)電內(nèi)存均采用原裝內(nèi)存顆粒，擁有強(qiáng)硬硬件體質(zhì)。網(wǎng)上有部分玩家就將A30輕松超頻，并得到穩(wěn)定運(yùn)行印證了這一點(diǎn)。有興趣的朋友，可以關(guān)注臺(tái)電存儲(chǔ)更多動(dòng)態(tài)報(bào)道。

*不過(guò)在這里要提醒下各位，超頻可能受限于內(nèi)存、主板等兼容性，還是不建議輕易嘗試。