受惠于人工智慧及云端運算對高效能運算的強勁需求,2018年伺服器出貨量可望創下新高,也帶動伺服器DRAM強勁需求,但以目前三大DRAM廠產能布建情況來看,主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整年,32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元,南亞科直接受惠,明年上半年20奈米DDR4產能已全賣光。
DRAM價格今年漲了一整年,但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮,舊有廠內擠出空間新增的產能,只是用來填補制程升級后的產能自然減損。
內存明年市況恐將不同調,DRAM市場仍將持續吃緊,NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于狀態,產品價格同步高漲,只是業界普遍預期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創見指出,DRAM 市場供貨持續吃緊,價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟,生產良率改善,可望填補供貨缺口。
美光預期,明年 DRAM 位供給將增加約 20%,市場環境仍將持續健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%,供給增加幅度將遠高于 DRAM。
由于缺貨壓力持續存在,2017年全球DRAM銷售金額逐季攀升,且近4季每季的DRAM銷售金額均刷新歷史紀錄。 據IC Insights估計,2017年第四季全球DRAM銷售金額將達到210.61億美元。
IC Insights分析,DRAM的供需缺口是全面性的,特別是服務器使用的高效能DRAM與智能型手機等行動裝置所使用的低功耗、高密度DRAM,缺貨情況相當明顯。
以全年度來看,2017年全球DRAM市場規模比2016年暴增74%,表現同樣可圈可點。 但IC Insights也警告,DRAM向來是個景氣暴起暴落的產業。 2018年三星(Samsung)與SK海力士(SK Hynix)都會有新的DRAM產能上線,且兩家公司都將有大手筆的資本支出。 因此,DRAM景氣的反轉向下,可能會在明后年出現。
但由需求面來看,雖然PC市場出貨量近幾年緩步下滑,但智慧型手機出貨量仍年年創下新高,而且三星明年推出的Galaxy S9將搭載6GB LPDDR4,將帶動智慧型手機行動式DRAM需求大幅成長。再者,人工智慧及云端運算帶動伺服器出貨,亦導致伺服器DRAM持續吃緊,明年恐缺貨一整年,價格則將維持逐季上漲趨勢。
集邦科技表示,平均一座資料中心可容納約8000至15000個伺服器機架,而每個機架可搭載4臺以上不同尺寸的伺服器,據估算將會消耗約1000~2000萬GB的伺服器DRAM,約折合31~62萬條32GB模組。
集邦表示,驅動伺服器DRAM需求動能的要素,除了英特爾與超微新伺服器平臺轉換推波助瀾外,還有來自北美網路服務業者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新資料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成長率持續居于各種DRAM規格之首且上看28.6%。
由于記憶體供給吃緊態勢尚未改變,2017年整體伺服器DRAM合約價將上揚近4成,明年第一季伺服器DRAM合約價將再漲5~8%。在主流模組報價方面,一線廠32GB DDR4伺服器模組將來至300美元大關,二線廠更會高于此價格水位,使得明年第一季度價格將會維持在相對高點。
伺服器DRAM缺貨且價格看漲,南亞科第四季採用20奈米投產8Gb DDR4并陸續獲得客認證,明年將重返伺服器DRAM市場,除供貨給戴爾、惠與(HPE)、聯想、浪潮等伺服器大廠,也獲廣達、緯創等ODM廠下單,明年上半年伺服器DDR4產能已全數賣光。
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