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賽普拉斯低成本高可靠嵌入式閃存技術

h1654155966.4254 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-12-27 06:21 ? 次閱讀

Outline

1. Charge-trap eNVMs at Cypress

2. SONOS

–Introduction

–Key Macro Specs

–High Reliability

3. eCT

–Introduction

–Key Macro Specs

–High Reliability

4. Embedded NVM Solutions for Various Applications

Charge-trap eNVMs at Cypress

Cypress develops, uses and licenses two embedded NVM technologies

  • SONOS and eCT,both are charge-trap non-volatile memories.

SONOS: Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon

  • Originally developed at Sandia National Lab, CY acquired it in 1998.

  • Available at 0.35μm, 0.13μm, 95nm, 65nm, 55nm, 40nm and 28nm process nodes.

  • Shipped>1,200,000 wafers from foundry partners HHGrace, HLMC and UMC.

  • Low cost, Lowpower, suitable for IoT, consumer, industrial, and automotive grade2/3 applications.

eCT : embedded Charge Trap

  • Former Spansion’s eNVM technology for automotive MCUs.

  • Based on 6 generations of Mirror Bit technologies.

  • In production (MCUs) at 40 nm node at UMC.

  • Automotive Grade-1 qualified.

Key Features

SONOS Introduction

Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon

  • A planar, scalable MOS transistor with an ONO stack as the gate dielectric.

  • Store captured charges in discrete traps in the nitride (N) layer through FN tunneling.

Low Cost, Low Power, High Security

  • Lowest cost: Only 3~5 extra masks added into standard CMOS process.

  • Lowest power: 7.5V program/erase voltage, low-current FN/FN program/erase operations.

  • High Security: Resistant to decode by de-processing.

  • Ideal solution for consumer, industrial and especially IoT SoCs.

> MCU, Smart Card,EEPROM, FPGA, NOR Flash, etc.

Key SONOS Macro Specs

55 nm SONOS Macro Power Consumption

  • Balanced power consumption and performance (20ns Taa) for many applications

    ?Three power-saving modes: hibernate, sleep and standby.

    ?Low power read and program/erase operations to minimize active power.

    ?Low power read operation with Vdd=1.08 V to1.32 V.

500hrs 225°C Yield w/ 50K Pre-cycling at 85 °C (55nm)

*All dies pass reading on full 8Mb after 500hrs 225°C bake

High Reliability

55-nm SONOS Macro Reliability

  • Endurance passes 500K cycles at 85°C w/o ECC. Vt window > 1.2V after 500K cycling.

  • Retention passes Automotive Grade-2 AEC Q100 requirement.

> Vt window > 0.6 V after 500 hrs bake @ 225C with 50K pre-cycling.

>滑動查看下一張圖片<

40-nm SONOS Macro Reliability

  • Endurance passes 500K cycles at 85°C w/o ECC. Vt window > 1.2V after 500K cycling.

  • Retention passes Automotive Grade-2 AEC Q100 requirement

>Vt window > 0.6 V after 500 hrs bake @ 225C with 50K pre-cycling.

>滑動查看下一張圖片<

28-nm SONOS Macro Reliability

  • Endurance passes 10K cycles at 125°C, Vt window >1.4 V after cycling.

  • Retention passes accelerated 48-hour bake at 250°C with > 0.7 V window left.

>滑動查看下一張圖片<

55nm SONOS in Production Press Release

Customers NPI Status @ HLMC 55nm SONOS

  • Engaged > 15 customers.

  • 7 Customers signed contract to use

  • 3 in mass production

  • > 1,000 wafers started per month

SONOS eNVM Technology Availability

SONOS eNVM is scalable and proven in volume production on many nodes.

eCT Introduction

embedded Charge Trap

  • Based on charge-trap technology proven in six generations of MirrorBit? NOR Flash memory

Ideal solution for high-performance automotive MCUs

  • Fast 8 ns random access time from -40°C to 150°C junction temperature and 30 ms word programming speed

  • Smallest eNVM bit cell in the industry, 0.053 sq. μm, at 40 nm node

  • Automotive Grade-1 reliability

Applications

  • Hybrid and electric vehicle motor control, instrument clusters, body control modules and HVAC

  • In volume production on UMC 40LP process flow

Key eCT Macro Specs

eCTReliability:

Automotive Qualification Data

  • Passed accelerated stress tests for Automotive Grade-1 per AEC-Q100 standard

40nm eCT in Production Press Release

Embedded NVM Solutions for Various Applications

Conclusion


Cypress develops and licenses charge-trap NVM technologies and Flash macro IP

  • Charge-trap NVMs serve in a wide range ofembedded applications

?SONOS: Consumer, Industrial SoCs

?eCT: high-performance automotive MCUs,Automotive Grade-1 reliability

  • Technologies are scalable to advanced nodes

?SONOS in mass production from 0.35um to 55nm, engineering samples available on 40uLP & 28HLP

?eCT is in volume production on UMC 40LP process

  • Low power for IoT: 0.9 V (40nm) or 1.2V(55nm) power supply, low-current operation, power-saving modes

  • Cost-effective: 3~5 (SONOS) or 8 (eCT)extra masks beyond the standard CMOS.


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原文標題:賽普拉斯低成本高可靠嵌入式閃存技術

文章出處:【微信號:CypressChina,微信公眾號:Cypress教程】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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