2017年12月,致力于“超越摩爾”產業發展的創新平臺的上海微技術工業研究院(SITRI)正式發布面向量產應用的HV600/HV650系列8英寸硅基GaN外延晶圓產品。該晶圓產品具備高晶體質量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點,同時實現材料有效壽命超過1百萬小時,成功解決了困擾硅基GaN材料應用的技術難題,適用于中高壓硅基GaN功率器件的產業化應用。
相較于傳統半導體材料,第三代半導體材料GaN具有寬禁帶、高飽和載流子速度、高擊穿電場、耐高溫、抗輻射等突出優點,適用于新一代高速度、高效率功率器件制造,在無線充電、快充、云計算、5G通訊、激光雷達、新能源汽車等領域具有廣泛的應用前景。與此同時,硅基GaN材料具有明顯的成本優勢,在采用大尺寸硅晶圓作為外延襯底的情況下,可以實現媲美傳統硅基功率器件的低成本制造。因此,硅基GaN技術也被認為是新型功率電子器件的主流技術。
上海微技術工業研究院功率器件部門從2016年成立,從事面向產業化應用的硅基氮化鎵材料與器件開發。在近期舉行的”第三屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會”上,功率器件部門總監袁理博士介紹上海微技術工業研究院8英寸硅基GaN外延材料項目的最新進展,正式發布具備高可靠性和均勻性的HV600/HV650系列8英寸硅基GaN外延晶圓產品,獲得了與會者的廣泛關注和高度評價。
符合8英寸硅工藝線的外延結構
上海微技術工業研究院HV600/HV650系列硅基GaN材料采用低阻的8英寸硅襯底,通過預應變技術解決硅襯底和GaN的熱失配問題,并根據應用需求選擇合適的外延層結構。
圖1:HV600/HV650系列材料外延結構示意圖
優秀的材料質量
為滿足600 V/650 V耐壓需要,上海微技術工業研究院采用超過4微米的厚膜外延生長技術。通過優化的GaN外延晶體生長控制,解決了GaN與硅材料因晶格失配導致的晶圓翹曲、晶體質量缺陷等問題。HV600/HV650系列材料實現了無龜裂、低翹曲度(≤ ± 50 μm)與低表面粗糙度(≤ 0.3 nm),滿足了8英寸功率器件的量產加工要求。
圖2:HV600/HV650系列材料晶圓翹曲
低缺陷密度
HV600/HV650 采用了優化的GaN外延缺陷控制技術,在實現高耐壓厚膜生長的同時,實現了低位錯密度與高晶體質量,其XRD (002/102)半高寬分別小于400/500 arcsecs。
圖 3:HV600/HV650系列材料HRXRD GaN (002)
圖 4:HV600/HV650系列材料HRXRD GaN (102)
優秀的材料均勻性
HV600/HV650系列產品擁有優秀的材料均勻性。8英寸材料外延層厚度、AlGaN勢壘層Al組份的標準方差分別小于0.3%與2%,保證了大尺寸硅基GaN功率器件量產制造時的高一致性和高良率,克服了硅基GaN器件產業化應用中的瓶頸問題。
圖 5:HV600/HV650系列材料外延厚度分布
圖 6:HV600/HV650系列材料AlGaN勢壘層Al組份分布
充裕的耐壓性能
面向600 V/650 V中高壓應用,HV600/HV650系列產品具有充裕的耐壓能力。以漏電流1 μA/mm2這一業界嚴苛標準作為判據,HV600/HV650縱向耐壓分別為640/700 V。以同樣嚴苛的漏電流0.1 μA/mm作為判據,HV600/HV650在襯底接地時橫向耐壓為700 V/760 V,在襯底浮空時橫向耐壓為950 V/1010 V,完全滿足600 V/650 V應用需求。
圖 7:HV600/HV650系列材料垂直耐壓特性
圖 8:HV600/HV650系列材料橫向耐壓特性(襯底接地)
圖 9:HV600/HV650系列材料橫向耐壓特性(襯底浮空)
良好的正向導通特性
HV600/HV650系列材料具有良好的正向導通特性,其二維電子氣濃度大于9x10^12 cm^(-2)、二維電子氣遷移率大于1800cm2/V·s、方塊電阻小于400 Ω/sq。
圖 10:HV600/HV650系列材料方塊電阻分布
高可靠性材料
基于優化的硅基GaN外延生長技術,HV600/HV650系列產品具備優秀的材料可靠性。根據高壓TDDB測試,HV600/HV650系列材料在標稱耐壓下,有效壽命大于1,000,000小時(114年)。
圖 11:縱向高壓TDDB測試
與此同時,HV600/HV650系列材料也具有優秀的耐高溫特性。在150 oC及襯底接地的情況下,于600 V/650 V兩款產品橫向漏電分別為0.7與0.6 μA/mm,均小于1 μA/mm。保證了材料在功率器件常用溫區里的高效率與安全性。
圖12:HV600系列材料高溫下橫向耐壓特性(襯底接地)
圖13:HV650系列材料高溫下橫向耐壓特性(襯底接地)
上海微技術工業研究院成功研發的HV600/HV650系列8英寸硅基GaN外延晶圓產品,突破了硅基GaN器件量產制造的材料瓶頸,在業界率先實現了1百萬小時以上的高可靠性。與此同時,HV600/HV650系列產品中也擁有6英寸等小尺寸外延晶圓,滿足產業界對于多種尺寸的硅基GaN外延材料的需求。
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原文標題:上海微技術工研院發布HV600/HV650系列8英寸硅基GaN外延晶圓產品
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