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英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

M8kW_icbank ? 2018-01-16 14:37 ? 次閱讀

上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長期合作關系也將結(jié)束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會更加積極的進入NAND閃存市場,尤其是用于數(shù)據(jù)中心和高端個人電腦的特殊領域。而紫光似乎在此機遇之下,贏得了發(fā)展的先機。

在趙偉國執(zhí)掌紫光集團之后,自2013年以來,據(jù)不完全統(tǒng)計,紫光系共投資了16家公司(不包括后期暫停或終止的),斥資近千億元。其中,芯片領域就有11家,先后十多次舉牌上市公司。

雖然從2017年開始,紫光開始放慢并購的腳步,但是這并沒有阻止正在以低頻和其他的方式參與到產(chǎn)業(yè)中來,因為對于趙偉國而言,對紫光“芯片+云網(wǎng)”的部署從未停止過。

嚴防死守與突圍

此次業(yè)界對于紫光和英特爾的合作并不是無跡可尋,因為這已經(jīng)不是紫光和英特爾的第一次接觸了。

遠的不說,單從2013年紫光開始大規(guī)模收購開始。

2013年底,紫光先以18億美元收購展訊通信,后以9.1億美元收購銳迪科,將中國大陸前三的兩家芯片設計公司整合到一起。

2014年,紫光將展訊、銳迪科20%股份以15億美元的價格出售給了Intel

通過這一收購,紫光不僅通過收購展訊、銳迪科在商業(yè)上大賺一筆,更拉到了芯片巨頭Intel這個強援。

在嘗到了收購帶來的好處之后,紫光的收購措施更是一發(fā)不可收拾。

2015年,在試圖收購美光的企圖被美國政府禁止后,紫光豪擲38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權(quán),進而由西部數(shù)據(jù)出面,繞過美國政府的管制,以190億美元收購閃迪。

可以說,這也是紫光在嘗試收購美光失敗后曲線強化存儲上的布局。

但最后這項交易,還是由于美國海外投資委員會CFIUS介入審查而終止,由此不難看出,國外對于存儲器技術的嚴防死守。

意識到了這一問題之后,紫光轉(zhuǎn)而通過合作的方式來進行。

顯然,在相關領域儲備知識產(chǎn)權(quán),通過資本獲得入場券,歸根結(jié)底還是以做好科技實業(yè)為本。

其實紫光從一開始就有一個大盤的策略,而存儲行業(yè)是紫光這一策略中關鍵的一步。

雖然由于國外嚴防死守的原因,很多收購都宣告破產(chǎn),但是紫光并沒有死心,而是轉(zhuǎn)而選擇與國內(nèi)企業(yè)聯(lián)手的方式,進軍存儲產(chǎn)業(yè)。

第一步就是2016年7月,紫光收購武漢新芯的大部分股權(quán),并注冊成立了全新的長江存儲,將武漢新芯變成其全資子公司。

當時就有業(yè)內(nèi)人士表示,紫光有資金,武漢新芯有生產(chǎn)保障,再加上第三方(美光等)的技術支持,二者聯(lián)手將是中國存儲器芯片趕超國外巨頭的絕佳機會。

除了Falsh,紫光對DRAM也是高度關注。在2015年,紫光就從同為清華系的同方股份手里收購了同方國芯36.39%的股權(quán),涉足DRAM產(chǎn)業(yè),并將改公司改名為紫光國芯。

現(xiàn)在回頭看,過去兩年,尤其近兩年以來Flash和DRAM價格的高漲,再一次證明了紫光的獨到。

紫光與英特爾合作?

而現(xiàn)在隨著英特爾和美光合作的終結(jié),如果紫光此時能夠搭上英特爾的快車,將能夠更加快速的時間國產(chǎn)存儲器的崛起。

其實這并不是紫光第一次需求技術上的授權(quán)和合作。

在收購武漢新芯的時候,紫光就希望在此基礎上需求與美光的技術授權(quán)。

但是,當時的問題在于,彼時英特爾與美光的合作關系還存在,在與美光談技術授權(quán)的同時,還需要經(jīng)過英特爾這一關,而且美國政府對于技術轉(zhuǎn)移到中國也是相當保守,此前收購美光破產(chǎn)就是一個很好的例子,所以技術授權(quán)也是無疾而終。

而現(xiàn)在在美光與英特爾合作結(jié)束之后,紫光能夠有機會呢?

這兩年,存儲器市場發(fā)生了翻天覆地的變化,價格更是連創(chuàng)新高,英特爾更是在被三星依靠著存儲器擠下了坐了二十多年的半導體行業(yè)老大的寶座。

要說英特爾不甘心那是不可能的,但是力所難及啊。

為此,英特爾宣布,英特爾計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產(chǎn)能,英特爾位于大連的工廠在2015年的時候,從原先的處理器業(yè)務變成Nand閃存芯片業(yè)務。

但是,即便如此,英特爾的情況依然不容樂觀。

據(jù)了解,在產(chǎn)品規(guī)劃上,英特爾的發(fā)展依舊以SSD為主,并占其90%以上比重,3D-XPoint相關應用由于才剛起步,且價格仍處高點,采用者仍然不多。即便如此,英特爾的份額依舊不高。

可以說,英特爾亟待尋找出路在存儲芯片市場獲得突破,而由于英特爾與美光本身在發(fā)展理念上的不同,隨著合作終結(jié),英特爾將能夠更加自由的發(fā)展自己的存儲芯片。而在這種情況下,就需要一個強有力的并且合適的合作伙伴。

同時,紫光也需要先進技術的支持。

去年年底,紫光也宣布將投資了 300 億美元在南京建設自己的 DRAM 存儲器及 NAND Flash 存儲器工廠。另外也和中國***地區(qū)的建興宣布合作,在蘇州興建一座 SSD 固態(tài)硬盤開發(fā)、制造工廠,這些工廠都需要先進技術的支持。

因此,未來如果真能與英特爾合作,英特爾所掌握的 NAND Flash 技術將有望讓紫光的生產(chǎn)更上一層樓。而英特爾則可以利用技術授權(quán),借由紫光的布局以換取更大的市場。可以說是雙贏的局面。

英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

技術授權(quán)的阻礙

因此在這種情況之下,很多人就提出了英特爾看中紫光,將技術授權(quán)的可能。

但是,這種情況真的可能嗎?

在此之前就曾有消息說,紫光與SK海力士就閃存技術許可進行談判與合作,給出的理由則是,3D NAND技術很難不觸碰到SK海力士等國際廠商的知識產(chǎn)權(quán)。

紫光專門針對這件事情表示,閃存只是產(chǎn)權(quán)不是SK海力士的,現(xiàn)在的3D NAND技術是自己開發(fā)的。

由此可以猜想,依靠目前紫光的實力,可能并不需要通過技術授權(quán)的方式來實現(xiàn)3D NAND產(chǎn)品的突破。

那么紫光是否還需要依靠英特爾的授權(quán)就不得不打上一個問號。

其實,即便英特爾進行技術授權(quán),也存在著美國政府阻礙的問題。

事實上,美國以法律當武器恫嚇對手的做法,早已是屢見不鮮的事,2017年年底,美光就針對聯(lián)電和福建晉華目前仍在研發(fā)階段的 DRAM 技術,在美國提出涉嫌妨礙運營機密的控告。

同時,美國還不斷以國家安全為借口,來避免技術的外泄和中國企業(yè)的收購以杜絕先進技術流向中國。

比如說,在剛剛結(jié)束的CES上,AT&T臨場變卦,華為再次被美國市場拒之門外,理由依然是說了千萬遍的華為軍工背景或會危機美國的國家安全。

之后,更是有消息說,美國國會兩位重量級議員發(fā)起一項議案,擬禁止政府機構(gòu)采購華為、大唐及中興的產(chǎn)品和服務,稱其“與中國軍方關系密切”。

而類似的理由都會成為英特爾技術授權(quán)給紫光的障礙。

自主研發(fā)才是出路

對于英特爾可能技術授權(quán)給紫光這件事情來看,更多的只是一種猜想,而這種猜想很難有成為現(xiàn)實的可能。

而紫光這幾年來的發(fā)展已經(jīng)為我們發(fā)展中國自主的存儲器產(chǎn)業(yè)指明了一條非常明朗的道路。

高啟全曾說過,中國發(fā)展存儲芯片不能再走授權(quán)代工的路,一定要技術自主開發(fā),用到別人的專利就付錢,同時也累積自己手上的專利實力,如果最后真的無法成功,那也必須接受事實。

歷史的經(jīng)驗也告訴我們,回顧***過去 20 年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展腳步,等于是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工,到最后仍是無法擁有自己的技術,只換來“生產(chǎn)成本最低的 DRAM 廠”的稱號。

尤其是對于目前的中國市場也是如此,擁有巨大的市場,但是在技術方面短缺,是我們不得不面臨的困境。

當前中國半導體的艱難局面來自于:中國身為全球最大的半導體市場,但卻必須高度依賴進口,以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 芯片為例,9 成以上都依靠國際大廠。

而現(xiàn)在,隨著紫光32層64G的3D NAND芯片研發(fā)成功,其DDR4存儲芯片計劃于今年逐步推向市場,紫光告訴我們,自主研發(fā)才是中國存儲產(chǎn)業(yè)的出路!


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原文標題:紫光存儲如何突圍?

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