介紹SDRAM電路設(shè)計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個存儲陣列,可以把它想象成一個表格,和表格的檢索原理一樣,先指定行,再指定列,就可以準(zhǔn)確找到所需要的存儲單元,這是內(nèi)存芯片尋址的基本原理,這個表格稱為邏輯Bank。由于技術(shù)、成本等原因,不可能只做一個全容量的Bank,而且由于SDRAM工作原理限制,單一的Bank會造成非常嚴(yán)重的尋址沖突,大幅降低內(nèi)存效率,所以在SDRAM內(nèi)部分割成多個Bank,目前的SDRAM基本都是4個Bank。存儲陣列示意如圖1所示:
圖1SDRAM存儲陣列示意圖
圖2SDRAM引腳配置方案
圖2是S3C2440A手冊提供的SDRAMbank地址的配置方案,維護(hù)系統(tǒng)使用的SDRAM是HY57V561620FTP-H,它的規(guī)格是4*4M*16bit(使用兩片是為了配置成32位的總線寬度),BANK大小是4M*16=64MB,總線寬度是32位,器件大小是4*BANK大小=256Mb,寄存器配置就是(4M*16*4B)*2,根據(jù)圖2可知,SDRAM上的BANK地址引腳(BA[1:0])與S3C2440的A[25:24]相連。
圖3 S3C2440A控制地址總線連接
圖3是寄存器控制地址總線連接方式,我們使用2片SDRAM配置成32位的總線寬度,所以SDRAM上的A[12:0]接到S3C2440的A[14:2]引腳。具體的SDRAM電路連接如圖4所示:
圖4SDRAM電路連接圖
SDRAM的地址引腳是復(fù)用的,在讀寫SDRAM存儲單元時,操作過程是將讀寫地址分兩次輸入到芯片中,每一次由同一組地址線送入,兩次送入到芯片上去的地址分別稱為行地址和列地址,它們被鎖存到芯片內(nèi)部的行地址鎖存器和列地址鎖存器。下面是該芯片的部分信號
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SDRAM
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