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年入38億,武漢新芯 芯片獨角獸將IPO,聚焦存儲、圖像傳感器芯片

傳感器專家網 ? 來源:芯視點 ? 作者:芯視點 ? 2024-10-22 17:34 ? 次閱讀

回到2024年6月20日,IPO重啟,上交所、深交所各受理一家IPO,之后,IPO受理又陷入暫停階段,時隔100天的2024年9月30日,上交所新受理一家IPO——武漢新芯。 武漢新芯是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業,在特色存儲領域,公司是中國大陸規模最大的NOR Flash 制造廠商,擁有業界領先的代碼型閃存技術。在數模混合領域,公司具備 CMOS 圖像傳感器全流程工藝,技術平臺布局完整、技術實力領先,55nm RF-SOI 工藝平臺已經實現量產,器件性能國內領先。在三維集成領域,公司擁有國際領先的硅通孔、混合鍵合等核心技術。

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據招股說明書,武漢新芯前身新芯有限設立于 2006 年4 月21 日,系由湖北科投以貨幣認繳出資,設立時注冊資本為 160,000.00 萬元。截止本次提交材料,新芯的股東分布如下圖所示。

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據介紹,武漢新芯是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業,聚焦于特色存儲、數模混合和三維集成等業務領域,可提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。公司以特色存儲業務為支撐、以三維集成技術為牽引,各項業務平臺深化協同,持續進行技術迭代。未來,公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領者,助力客戶提升核心競爭力,繁榮中國半導體高端應用。

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如上圖所示,我們可以看到新芯過去幾個季度的營收。從下圖我,我們則能看到該公司不同工藝平臺的營業收入。

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新芯表示,在特色存儲領域,公司是中國大陸規模最大的NOR Flash 制造廠商,擁有業界領先的代碼型閃存技術。在數模混合領域,公司具備 CMOS 圖像傳感器全流程工藝,技術平臺布局完整、技術實力領先,55nm RF-SOI 工藝平臺已經實現量產,器件性能國內領先。在三維集成領域,公司擁有國際領先的硅通孔、混合鍵合等核心技術。 具體而言,公司是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業,聚焦于特色存儲、數模混合和三維集成等業務領域,可提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。

在特色存儲領域,公司是中國大陸規模最大的NOR Flash 制造廠商,擁有業界領先的代碼型閃存技術,制造工藝涵蓋浮柵(Floating Gate,又稱 ETOX)型與電荷俘獲(Charge Trap,又稱SONOS)型兩種主流結構。公司在浮柵工藝上制程節點涵蓋65nm 到50nm,其中50nm 技術平臺具有業內領先的存儲密度;在電荷俘獲工藝方面為客戶一代碼型閃存(產品A)全球唯一晶圓代工供應商。 在數模混合領域,公司具備 CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝,擁有多年穩定量產的 BSI 工藝和堆棧式工藝,技術平臺布局完整、技術實力領先;公司12 英寸RF-SOI 工藝平臺已經實現55nm 產品量產,射頻器件性能國內領先,廣泛應用于智能手機等無線通訊領域。

在三維集成領域,公司擁有國際領先的硅通孔、混合鍵合等核心技術,公司雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構集成以及硅轉接板技術應用不斷拓展。

截至2024 年3 月末,公司共擁有兩座12 英寸晶圓廠。在報告期內,公司以特色存儲業務為支撐、以三維集成技術為牽引,各項業務平臺深化協同,持續進行技術迭代。 目前,公司多項技術及產品已廣泛應用于汽車電子工業控制消費電子、計算機等下游領域,與各細分行業頭部廠商形成了穩定、良好的合作關系。未來,公司致力于成為三維時代半導體先進制造引者,助力客戶提升核心競爭力,繁榮中國半導體高端應用。

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公司是中國大陸規模最大的NOR Flash 制造廠商,近十余年來持續深耕NOR Flash 領域。截至 2024 年3 月底,公司 12 英寸NOR Flash 晶圓累計出貨量已經超過130 萬片。
NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片,具有讀取速度快、可靠性強、可芯片內執行(XIP)等特點,在中低容量應用以及需要用低功耗完成內部指令執行、系統數據交換等功能的產品上具備性能和成本上的優勢,因此廣泛應用于計算機、消費電子(智能家居、TWS 耳機、穿戴式設備、路由器、機頂盒等)、汽車電子(高級駕駛輔助系統、車窗控制、儀表盤)、工業控制(智能電表、機械控制)、物聯網設備等領域。
目前, NOR Flash 主要包括基于浮柵技術的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術的SONOS 型兩類主流基礎工藝結構。ETOX 型 NOR Flash 工藝結構方面,公司技術節點涵蓋 65nm 到 50nm,其中自主研發的50nm 技術平臺具有業內領先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術研發及其產業化”項目曾獲得湖北省科技進步一等獎。 報告期內,公司與客戶二、客戶三等行業頭部客戶保持穩定合作關系,為客戶提供各技術節點下各類ETOX 型NOR Flash 晶圓代工。
公司自有品牌NOR Flash 產品采用ETOX 型工藝結構,擦寫速度與耐受性、數據保持等可靠性與特性指標業內領先。報告期內,公司主要以經銷模式銷售NOR Flash 產品,與行業頭部電子元器件分銷商形成了穩定合作關系,主要應用于消費電子、計算機、工業控制等領域。 SONOS 型 NOR Flash 工藝結構方面,公司系客戶一代碼型閃存(產品A)全球唯一晶圓代工供應商。產品A 主要應用于汽車電子、工業控制領域。 報告期內,公司在特色存儲領域亦提供 MCU 產品的晶圓代工。MCU 又稱單片微型計算機,系將 CPU 的頻率與規格做適當縮減,并將 Flash、ADC、計數器等模塊集成到同一顆芯片,從而為不同的應用場合提供組合控制。
公司擁有業內領先的 55nm ESF3 架構1MCU 工藝,其中超低功耗 MCU 平臺已穩定量產、高性能 MCU 平臺已完成研發。報告期內,公司 MCU 領域客戶主要包括恒爍股份等,所代工 MCU 產品應用場景由消費電子逐步推進至工業控制及汽車電子領域。 公司在數模混合領域主要提供 CIS、RF-SOI 等產品晶圓代工。

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公司具備CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝, 包括以 55nm 邏輯工藝為基礎開發的CIS 像素(Pixel)工藝以及背照式、堆棧式產品所需的 BSI、鍵合工藝等,可為客戶提供各類 CIS 產品的晶圓代工。

CIS 是一種利用光電轉換技術原理所制造的圖像傳感元件,根據消費、車載、工業等不同應用場景的感光能力、動態范圍、圖像分辨率等需求,像素單元尺寸從數微米到 0.5 微米,像素數量從數百萬到億級不等。根據工藝架構不同,CIS主要分為前照式、背照式和堆棧式2三類,其中背照式和堆棧式已成為中高端 CIS產品主流結構。

CIS 晶圓代工方面,公司技術平臺布局完整,技術實力領先,擁有覆蓋 0.7微米及以上的像素工藝能力、多年穩定量產的 BSI 工藝和鍵合工藝,量子效率、動態范圍、暗電流、噪聲、白點等工藝相關關鍵性能指標達到國際先進水平。

報告期內,公司與客戶四、客戶五等行業頭部客戶保持穩定合作關系,所提供晶圓代工的CIS 產品已廣泛覆蓋消費、工業、醫療、汽車等各項應用領域。

來到RF-SOI方面,報告期內,公司在數模混合領域亦提供 RF-SOI 產品的晶圓代工,擁有 55nm絕緣體上硅工藝完整知識產權。RF-SOI 晶圓代工是公司未來在數模混合領域重點發展的方向,亦是公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目的重要建設部分。

RF-SOI 是一類使用部分耗盡的絕緣體上硅工藝生產的射頻前端芯片,可集成射頻開關、低噪聲放大器天線調諧器、功率放大器等器件,具有更低插入損耗、更高增益的性能優勢,支持 5G、毫米波通信。

公司自主開發的 55nm RF-SOI 技術國內領先,已實現 55nm RF-SOI 產品量產。同時,公司已經啟動下一代 40nm 工藝技術研發。報告期內,公司已與 RF-SOI領域多家國內頭部設計公司客戶開展合作,提供晶圓代工的RF-SOI 產品可廣泛應用于智能手機等無線通訊領域。 此外,公司還具有國際領先的晶圓級三維集成技術。報告期內,公司三維集成業務主要系按照工藝架構進行劃分,已成功構建雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構集成和 2.5D(硅轉接板 Interposer)四大工藝平臺,應用于三維集成領域各類產品的晶圓代工。

公司三維集成領域各項細分工藝平臺具體情況如下:

(1)雙晶圓堆疊平臺:該平臺將兩片晶圓的介質層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式形成金屬互連,在有效減小芯片面積的同時大量增加 I/O 數量,達到增加傳輸帶寬、降低延時及系統功耗的優點,目前支持業界最小的混合鍵合連接孔距(HB pitch)。
(2)多晶圓堆疊平臺:該平臺通過無凸點(Bumpless)工藝實現多片晶圓的銅-銅直接、超高密度互連,其互連尺寸遠小于微凸塊封裝等方式,可顯著提升傳輸帶寬,且對散熱更加友好、有利于降低功耗。
(3)芯片-晶圓異構集成平臺:該平臺可實現不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間直接鍵合,極大提升系統集成的靈活自由度,公司建成了中國大陸首條完全自主可控的三維異構集成工藝產線,正與產業鏈上下游企業深度合作進行產品驗證。
(4)2.5D(硅轉接板 Interposer)平臺:該平臺提供具有靈活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容、多層金屬重布線層等技術優勢的硅轉接板,可與 2.5D 封裝工藝相結合,為集成系統提供亞微米級精度銅互連,顯著減小系統延遲、插損及功耗等,目前已經規模量產。

三維集成領域是公司未來發展的重點方向,也是公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目的主要組成部分。公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領者,預計未來三維集成業務占比將逐步提升。

從下圖,我們可以看到新芯的產能和銷售情況。

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按照業務類型,報告期內,公司主營業務收入主要來源于晶圓代工收入,各期晶圓代工收入分別為 185,383.99 萬元、258,247.24 萬元、254,631.25 萬元和66,897.38 萬元,占比分別為 63.27%、77.45%、67.08%和73.33%。公司主要向客戶提供 12 英寸特色工藝晶圓代工,按照不同工藝平臺,公司向客戶提供特色存儲、數模混合和三維集成領域多種類別半導體產品的晶圓代工。


自有品牌業務主要系公司經營的自有品牌 NOR Flash 產品。報告期內,公司自有品牌業務收入分別為 98,433.01 萬元、60,815.51 萬元、61,475.75 萬元和14,587.67 萬元,占比分別為 33.60%、18.24%、16.20%和 15.99%。2022 年,公司自有品牌業務收入下滑,主要系受到下游消費市場需求增長放緩影響。

此外,公司還為客戶提供研發流片、技術授權、光掩膜版等其他配套業務。報告期內,公司其他配套業務收入分別為9,174.61 萬元、 14,368.92 萬元、 63,472.62萬元和9,741.39 萬元,占比分別為3.13%、 4.31%、 16.72%和 10.68%。2023 年度,公司其他配套業務收入增長較快,主要系 2023 年確認了對于公司二的技術授權收入。此外,公司提供的研發流片、光掩膜版等收入亦有所增加。

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公司主營業務按照工藝平臺可劃分為特色存儲、數模混合、三維集成及其他領域。

報告期內,公司特色存儲工藝平臺實現的收入分別為 217,755.45 萬元、244,965.03 萬元、 257,026.62 萬元和59,148.63 萬元,占比分別為74.32%、 73.47%、67.71%和64.84%。公司在特色存儲領域主要提供 NOR Flash、MCU 等產品的晶圓代工,此外,還經營自有品牌 NOR Flash 產品。
報告期內,公司數模混合工藝平臺實現的收入分別為 57,271.20 萬元、67,142.22 萬元、 76,898.96 萬元和26,328.63 萬元,占比分別為 19.55%、 20.14%、20.26%和28.86%。數模混合是公司重點發展方向,主要提供 CIS、RF-SOI 等產品晶圓代工。公司結合客戶需求逐漸將產品與技術向高端 CIS 領域延拓,同時RF-SOI 的需求量及供應量也逐步增加。

報告期內,公司三維集成工藝平臺實現的收入分別為 15,828.22 萬元、21,116.78 萬元、 17,225.98 萬元和5,749.17 萬元,占比分別為 5.40%、 6.33%、 4.54%和 6.30%。三維集成亦是公司未來重點發展的方向。根據 Yole 統計,預計2023-2028 年,全球三維集成技術制造市場規模年均復合增長率約 34.45%,公司將持續深耕該平臺技術創新及市場開拓,助力公司營業收入穩步增長。

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據招股說明書,公司實際募集資金扣除發行費用后的凈額計劃投入以下項目:

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本次募集資金投資項目為 12 英寸集成電路制造生產線三期項目、特色技術迭代及研發配套項目,項目實施主體均為發行人。公司募集資金項目符合國家有關產業政策和公司發展戰略,與公司主營業務、生產經營規模、財務狀況、技術條件、管理能力、發展目標相匹配。 本次募集資金到位及募投項目的實施,將在公司三維集成與數模混合業務領域現有領先工藝、技術與量產經驗的基礎上,進一步擴大產能規模,增強核心業務領域研發實力,從而更好地滿足市場需求,提高公司在晶圓代工行業的市場地位和核心競爭力,全面提升公司的生產能力、研發能力和盈利能力,實現公司的可持續發展。 武漢新芯強調,公司愿景成為三維時代半導體先進制造引領者,助力客戶提升核心競爭力,繁榮中國半導體高端應用。本次募集資金投資項目的確定依據如下:

本次募集資金相關投資項目,是公司實現既定戰略規劃和業務發展目標的重要舉措,是公司在晶圓代工領域實現差異化、多元化發展的必由路徑,亦可與公司正在執行的建設項目實現有序銜接。

本次募集資金投資項目順利實施后,將有利于公司搶抓三維集成與 SOI 產業生態建設關鍵期,集中優勢力量解決國內三維集成、SOI 代工產能供給不足的難題,實現現有優勢工藝技術的持續升級迭代,拓展客戶產品應用的深度和廣度,同時加大對產業鏈上下游的帶動力度、完善構建產業生態。 武漢新芯最后說,半導體行業具有資金密集、技術密集、人才密集的特點,是支撐國民經濟和社會發展的基礎性、戰略性、先導性產業。作為國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業,著眼于國家對半導體行業的戰略性發展規劃,公司明確了“致力于卓越的半導體技術與制造,為民族產業提升科技實力,為股東實現投資回報,為員工贏得美好生活”的重要使命。公司未來愿景定位于“成為三維時代半導體先進制造引領者,助力客戶提升核心競爭力,繁榮中國半導體高端應用”。

來源:芯視點

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