振蕩器不穩(wěn)定性-一般表達(dá)式
其中QL=諧振器的負(fù)載Q,dφ(ff)是一個小
在偏離載波的偏移頻率ff處環(huán)路相位的變化
頻率f.回路中的系統(tǒng)性相位變化和相位噪聲可能源于諧振器或維持器
電路。最大化QL有助于減少噪聲和環(huán)境引起的維持電子設(shè)備變化的影響。在設(shè)計合理的振蕩器中,短期不穩(wěn)定性由諧振器在小于諧振器半帶寬的偏移頻率下的穩(wěn)定性決定,由維持電路和較大偏移時從環(huán)路輸送的功率量決定。
維持電路引起的不穩(wěn)定
?負(fù)載電抗變化-向晶體中添加負(fù)載電容會改變頻率
?示例:如果C0=5 pF,C1=14fF,CL=20pF,則ΔCL=10 fF
(=5 X 10-4)導(dǎo)致≈1 X 10-7的頻率變化,并且CL老化
每天10ppm會導(dǎo)致振蕩器每天2 X 10-9次老化。
?驅(qū)動電平變化:對于10 MHz的第三次SC切割,通常每平方米10-8個。
?晶體上的直流偏壓也會導(dǎo)致振蕩器老化。
振蕩器不穩(wěn)定性-調(diào)諧電路
許多振蕩器包含調(diào)諧電路,以抑制不需要的模式,如匹配電路和濾波器。調(diào)諧電路電感和電容的微小變化的影響由下式給出:
其中BW是濾波器的帶寬,ff是濾波器中心頻率與載波頻率的頻率偏移,QL是諧振器的負(fù)載Q,Qc、Lc和Cc分別是調(diào)諧電路的Q、電感和電容。
振蕩器不穩(wěn)定-電路噪聲
維持電路中的閃爍PM噪聲導(dǎo)致閃爍FM對振蕩器輸出頻率的貢獻(xiàn),由下式給出:
其中ff是載波頻率f的頻率偏移,QL是電路中諧振器的負(fù)載Q,ckt(1Hz)是ff=1Hz時的閃爍PM噪聲,τ是閃爍下限范圍內(nèi)的任何測量時間。對于QL=106和上ckt(1Hz)=-140dBc/Hz,σy(τ)=8.3 x 10-14。(已實現(xiàn)ckt(1Hz)=-155dBc/Hz。)
振蕩器不穩(wěn)定性-外部負(fù)載
如果外部負(fù)載發(fā)生變化,反射回振蕩器的信號的幅度或相位也會發(fā)生變化。這個
到達(dá)振蕩回路的信號部分會改變振蕩相位,從而改變頻率
其中Γ是負(fù)載的VSWR,θ是反射波的相位角;例如,如果Q~106,隔離度~40 dB
(即,~10-4),那么最壞的情況(100%反射)拉動是
~5 x 10-9。AVSWR為2時,最大拉力僅降低了3倍。負(fù)載牽引問題在較高頻率下變得更糟,因為Q和隔離度都較低。
振蕩器輸出
大多數(shù)用戶需要正弦波、TTL兼容、CMOS兼容或ECL兼容的輸出。后三種可以簡單地由正弦波產(chǎn)生。四種輸出類型是如下圖所示,虛線表示供應(yīng)電壓輸入,粗實線表示輸出。(正弦波振蕩器沒有“標(biāo)準(zhǔn)”輸入電壓
CMOS的電壓范圍通常為1V至10V。)
為什么選擇Quartz?
石英是唯一已知具有以下特性組合的材料:
?壓電(“壓電”;piezein=按壓,希臘語)
?存在零溫度系數(shù)切割
?存在應(yīng)力補(bǔ)償切割
?低損耗(即高Q值)
?易于加工;在“正常”條件下,除氟化物和熱堿蝕刻劑外,在所有物質(zhì)中的溶解度都很低;堅硬但不脆
?自然資源豐富;易于大量生長,成本低,純度和純度相對較高。在人造單晶中,石英的年產(chǎn)量約為3000噸,僅次于硅生長量(截至1997年,每年生長的硅是硅的3到4倍)。
壓電效應(yīng)
壓電效應(yīng)在壓電晶體的機(jī)械性能和電路之間提供了耦合。
石英的壓電效應(yīng)
在石英中,所示的五個應(yīng)變分量可能是由電場產(chǎn)生的。下一頁所示的模式可以通過適當(dāng)放置和形狀的電極來激發(fā)。由場的Y分量產(chǎn)生的圍繞Z軸的剪切應(yīng)變用于旋轉(zhuǎn)Y切割系列,包括AT、BT和ST切割。
運(yùn)動模式
(單擊模式名稱查看動畫。)
厚度剪切晶體的運(yùn)動
諧振器振動振幅分布
石英晶體的泛音響應(yīng)
石英具有高度各向異性
l石英的性質(zhì)隨結(jié)晶方向變化很大。
例如,當(dāng)石英球在HF中被蝕刻得很深時
當(dāng)沿Z軸觀察時球體呈現(xiàn)三角形形狀并且當(dāng)沿Y軸觀察時呈現(xiàn)透鏡形狀。蝕刻速率為
沿著最快蝕刻速率方向(Z方向)比沿著最慢方向(慢X方向)快100倍以上。
l熱膨脹系數(shù)為7.8 x 10-6/C沿Z方向,14.3 x 10-6/C垂直于Z方向;因此,密度的溫度系數(shù)為-36.4 x 10-6/C
l彈性常數(shù)的溫度系數(shù)范圍為-3300 x 10-6/C(適用于C12)至+164 x 10-6/C(適用于C66)。
l對于適當(dāng)?shù)那懈罱嵌龋耙豁?a target="_blank">Tf中前兩項的總和被第三項(即溫度)抵消
石英中存在補(bǔ)償切割。(見下頁。)
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