真空鍍膜法是在真空的條件下，將金屬和非金屬材料加熱，當溫度超過其沸點時，被加熱物以氣態急劇蒸發，以直線向四周噴射；當遇到障礙物時即附著積淀于物體表面，形成一層薄膜，從而改善材料的性能和外觀，這種工藝技術被廣泛應用于多個行業，包括航天航空、半導體、新能源、國防軍工、汽車、手機、新型顯示、電子元器件、光通訊、軌道交通等?。

真空鍍膜技術涉及多種工藝，如磁控濺射、離子鍍、熱蒸發等。這些工藝對氣體流量的要求各不相同，有的需要高流量，有的需要低流量，有的則需要精確控制多種氣體的混合比例。MFC氣體質量流量控制器具有廣泛的調節范圍和高精度的控制能力，能夠滿足不同工藝對氣體流量的多樣化需求。

AS200系列氣體質量流量控制器

在真空鍍膜過程中，工藝氣體的“量”精確穩定的控制對工藝過程的穩定性和重復性起著至關重要的作用。MFC采用直接測量氣體質量流量的方法，不受氣體溫度、壓力的影響，能夠實現對氣體流量的精確控制。這種精確控制有助于確保鍍膜層的厚度、均勻性和性能達到預期要求，從而提高產品質量和一致性。

MFC能夠實時監測和控制氣體流量，確保鍍膜過程中的氣體供應穩定可靠。這有助于減少因氣體流量波動而導致的鍍膜質量不穩定問題，提高生產效率和產品合格率。同時，MFC的自動化控制功能還可以降低人工操作難度和勞動強度，提高生產線的自動化水平。

在真空鍍膜過程中，MFC可以精確控制反應氣體的進氣流量，從而優化鍍膜效果。例如，在磁控濺射鍍膜中，MFC可以精確控制惰性氣體的流量，以確保濺射出的靶材粒子能夠均勻沉積在基材表面，形成致密、均勻的鍍膜層。此外，MFC還可以用于控制反應氣體的比例和流量，以調節鍍膜層的成分和性質，滿足不同的應用需求。

MFC的精確控制氣體流量功能有助于提高實驗的可重復性和可比性。在真空鍍膜研究中，MFC可以確保每次實驗的條件一致，從而便于比較不同實驗結果之間的差異。這有助于研究人員更好地理解和優化鍍膜過程，推動真空鍍膜技術的不斷發展。

綜上所述，MFC在真空鍍膜過程中發揮著至關重要的作用。其精確控制氣體流量的能力、適應多種工藝需求的特點、提高生產效率和穩定性的優勢以及優化鍍膜效果和提高實驗可重復性的功能，使得MFC成為真空鍍膜過程中不可或缺的設備之一。

審核編輯 黃宇