意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術，標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中具有廣泛應用潛力，也適用于各類高壓和高功率密度的工業應用。

新發布的MOSFET特別針對電動汽車的牽引逆變器，這是電動汽車動力系統中不可或缺的部分，負責將電池組中的直流電轉換為三相交流電，以驅動電動機。這項技術的革新將為電動汽車的續航能力、充電速度和整體性能帶來顯著提升。

新一代SiC MOSFET將提供750V和1200V的額定值，以支持400V和800V的電池總線電壓。800V的解決方案將使得電動車的充電時間更短，續航里程更長。目前，750V版本的新MOSFET已完成認證，而1200V型號預計將在2025年第一季度完成認證，隨后將迅速投入市場。此外，這些MOSFET還可廣泛應用于太陽能逆變器、儲能系統和數據中心等高功率工業領域。

在電動汽車的動力系統中，牽引逆變器利用由離散電源MOSFET或精確排列的功率模塊構成的橋接電路，將直流電轉化為所需的交流電動機驅動波形。逆變器的性能以及其開關電源組件直接影響電動汽車的整體表現。

意法半導體的第四代SiC MOSFET相比于前幾代產品，具有更低的導通電阻(RDS(on))，在開關開啟時所產生的I2R損耗更少。這意味著電能轉換效率更高，且由于熱管理需求降低，方案變得更加輕便和緊湊，這些都是影響電動車續航、充電時間和成本的關鍵因素。

據意法半導體透露，其第四代SiC MOSFET在實現與第三代設備相似的導通電阻時，所需的硅面積減少了12%至15%，從而節省了空間并降低了單位成本。此外，較低的RDS(on)、更高的開關速度與更強的魯棒性共同促進了電動汽車動力系統的輕量化和經濟性。

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