拜登政府已宣布一項重大投資決策，計劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設國家半導體技術中心（NSTC）的核心設施。據美國商務部透露，奧爾巴尼的這一基地將特別聚焦于極紫外（EUV）光刻技術的研發。

NSTC作為美國頂尖的研發機構，其目標是推動半導體技術的革新，培養具備相關技能的勞動力，為這些新興領域提供人才支持，并促進與私營企業和學術界的深度合作。

此次建設的首個設施被命名為“美國《芯片法案》EUV加速器”（CHIPS for America Extreme Ultraviolet Accelerator），它將落戶于奧爾巴尼納米技術綜合大樓內。這座綜合大樓占地面積超過165萬平方英尺，由非營利機構——紐約研究中心、經濟發展、技術、工程和科學中心（NY CREATES）負責管理。值得一提的是，該項目的資金來源于《芯片法案》，這是美國半導體行業28年來獲得的最大一筆投資。

美國商務部長雷蒙多對此表示：“通過這一首個擬建的旗艦設施，《芯片法案》將為國家技術中心配備前沿的研究設備和工具，它的啟動標志著美國在保持全球半導體研發和創新領先地位方面邁出了重要一步。”

EUV技術有望打破摩爾定律的限制，該定律預測集成芯片中的晶體管數量將每兩年翻倍。鑒于當前最先進的處理器已在單個芯片上集成了超過1000億個晶體管，業界急需進一步推動EUV光刻技術的發展，以在有限的空間內實現更高的晶體管密度。

目前，全球范圍內僅有荷蘭的ASML公司能夠生產用于制造最新一代芯片所需的高數值孔徑（High-NA）EUV設備。