色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

雙阱工藝的制造過程

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2024-11-04 15:31 ? 次閱讀

與亞微米工藝類似,雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝,NMOS 是制造在PW里的,PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 結隔離,使器件之間形成電性隔離,優化晶體管的電學特性。

1)清洗。利用酸槽清洗晶圓,得到清潔的表面。

2) 生長犧牲層氧化硅。利用爐管熱氧化生長一層二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法。利用高純度的氧氣在900°C左右的溫度下使硅氧化,形成厚度約200~300A的二氧化硅。犧牲層氧化硅可以防止離子注入隧道效應,隔離光刻膠與硅襯底,防止光刻膠接觸污染硅襯底,也可以捕獲硅表面的缺陷。同時為了消除Si3N4對有源區表面的影響,改善表面狀態,生長犧牲層氧化硅是必需的。如圖4-160所示,是生長犧牲層氧化物的剖面圖。

3)NW光刻處理。通過微影技術將 NW 掩膜版上的圖形轉移到晶圓上,形成NW的光刻膠圖案,非NW 區域保留光刻膠。AA作為NW光刻曝光對準。如圖4-5所示,是電路的版圖,工藝的剖面圖是沿AA’方向。圖4-161 所示為 NW光刻的剖面圖。圖4-162 所示為NW顯影的剖面圖。

4)測量NW套刻,收集曝光之后的NW與 AA的套刻數據。

5)檢查顯影后曝光的圖形。

6)NW離子注入。利用離子注入形成n型的阱。圖4-163所示NW離子注入的剖面圖。NW 離子注入包括三道工序:

a)第一道離子注入磷,離子注入得比較深,能量很高,用以調節阱的濃度,降低阱的電阻,可以有效防止閂鎖效應。

b)第二道離子注入磷,離子注入得比較淺,能量比較低,作為溝道濃度調節,加大LDD 以下局部阱的濃度,使器件工作時該位置的耗盡層更窄,防止器件源漏穿通漏電。

c)第三道離子注入砷,離子注入表面,能量很低,調節PMOS閾值電壓Vt。

7)去光刻膠。利用干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠。圖4-164 所示為去除光刻膠的剖面圖。

8)PW光刻處理。與NW光刻處理類似,通過微影技術將PW掩膜版上的圖形轉移到晶圓上,形成PW的光刻膠圖案,非PW區域保留光刻膠。AA作為PW光刻曝光對準。圖4-5所示為電路的版圖,工藝的剖面圖是沿 AA'方向,圖4-165所示為PW光刻的剖面圖,圖4-166所示力PW 顯影的剖面圖。

9)測量PW套刻。收集曝光之后的PW與 AA的套刻數據。

10)檢查顯影后曝光的圖形。

11)PW離子注入。利用離子注入形成P型的阱。圖4-167所示為PW 離子注入的剖面圖。PW 離子注入包括三道工序:

a)第一道離子注入硼,離子注入得比較深,能量很高,用以調節阱的濃度,降低阱的電阻,可以有效防止閂鎖效應。

b)第二道離子注入硼,離子注入得比較淺,能量比較低,作為溝道濃度調節,加大LDD以下局部阱的濃度,使器件工作時該位置的耗盡層更窄,防止器件源漏穿通漏電。

c)第三道離子注入BF2,離子注入表面,能量很低,調節 NMOS 閾值電壓Vt。

12) 去光刻膠。利用干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠。圖4-168所示去除光刻膠的剖面圖。

13)NW和PW阱離子注入退火。利用 RTA 在H2環境中加熱退火激活 NW和PW的雜質離子,修復離子注入造成的硅襯底晶格損傷,同時會造成雜質的進一步擴散,快速熱退火可以降低雜質的擴散。

14)濕法刻蝕去除犧牲層氧化硅。利用HIF 和H2O(比例是50:1)去除犧牲層氧化硅。圖4-169所示為去除犧牲層氧化硅的剖面圖。

64c2cf70-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

64fa8352-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

652d06ba-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

6560c090-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

658d3300-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

65b8414e-98c3-11ef-a511-92fbcf53809c.png

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5387

    文章

    11530

    瀏覽量

    361646
  • 工藝
    +關注

    關注

    4

    文章

    592

    瀏覽量

    28780
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9682

    瀏覽量

    138084

原文標題:雙阱工藝-----《集成電路制造工藝與工程應用》 溫德通 編著

文章出處:【微信號:Semi Connect,微信公眾號:Semi Connect】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    半導體離子注入工藝講解

    區注入的工藝說明如下圖所示,是高能量離子注入過程,因為它需要形成區建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型區內,而P型晶體管形成于N
    的頭像 發表于 06-09 11:31 ?6423次閱讀
    半導體離子注入<b class='flag-5'>工藝</b>講解

    【「大話芯片制造」閱讀體驗】+芯片制造過程工藝面面觀

    第二章對芯片制造過程有詳細介紹,通過這張能對芯片制造過程有個全面的了解 首先分為前道工序和后道工序 前道工序也稱擴散工藝,占80
    發表于 12-16 23:35

    13um應變補償多量子SLD臺面制作工藝的研究

    13um應變補償多量子SLD臺面制作工藝的研究臺面制作工藝對1?3μm應變補償多量子SLD 的器件性能有重要的影響。根據外延結構,分析比較了兩種臺面制作的方法,即選擇性濕法腐蝕法和
    發表于 10-06 09:52

    機械加工廠制造工藝過程中熱處理工序位置

    發藍等處理這種表面處理通常安排在工藝過程的最后.  生產過程是指從原材料(或半成品)制成產品的全部過程。對機器生產而言包括原材料的運輸和保存,生產的準備,毛坯的
    發表于 04-02 09:38

    單片機晶圓制造工藝及設備詳解

    今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都
    發表于 10-15 15:11

    提高傳感器生產制造過程良品率的措施

    ,還與元件及外殼的制造工藝控制、裝配過程工藝控制、測試過程等有關。在分析設計與制造
    發表于 08-25 07:36

    《炬豐科技-半導體工藝》IC制造工藝

    `書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:IC制造工藝編號:JFSJ-21-046作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:集成電路的制造
    發表于 07-08 13:13

    結構含時量子輸運的微擾論及輸運方程

    利用Lewis-Riesenfeld不變量理論和與不變量有關的幺正變換方法,研究了結構含時量子輸運的微擾論3 獲得了內含時薛定諤方程的精確解的完備集,在此基礎上,把
    發表于 11-27 13:04 ?15次下載

    淺談晶圓制造工藝過程

    晶圓制造總的工藝流程 芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序(Wafer Fabrication)、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構裝工序(Packaging)、測試工序(Ini
    發表于 04-16 11:27 ?1.5w次閱讀

    如何使用深工藝提高LDMOS的抗擊穿能力

    ,在保證LDMOS器件參數不變的條件下,采用深工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。 LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor
    發表于 09-25 10:44 ?0次下載
    如何使用深<b class='flag-5'>阱</b><b class='flag-5'>工藝</b>提高LDMOS的抗擊穿能力

    模塊工藝——工藝(Twin-well or Dual-Well)

    CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是工藝,它包括兩個區域,即n-MOS和p-MOS 有源區,分別對應p和N
    的頭像 發表于 11-14 09:32 ?1.2w次閱讀

    CMOS集成電路的工藝簡析

    CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是工藝,它包括兩個區域,即n-MOS和p-MOS 有源區
    的頭像 發表于 11-14 09:34 ?9406次閱讀

    堆疊式DRAM單元STI和區形成工藝介紹

    在下面的圖中較為詳細的顯示了堆疊式DRAM單元STI和區形成工藝。下圖(a)為AA層版圖,虛線表示橫截面位置。
    的頭像 發表于 09-04 09:32 ?3076次閱讀
    堆疊式DRAM單元STI和<b class='flag-5'>阱</b>區形成<b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    半導體制造工藝 - 晶圓制造過程

    芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝
    發表于 03-29 11:25 ?3504次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>工藝</b> - 晶圓<b class='flag-5'>制造</b>的<b class='flag-5'>過程</b>

    Bosch刻蝕工藝制造過程

    Bosch刻蝕工藝作為微納加工領域的關鍵技術,對于HBM和TSV的制造起到了至關重要的作用。
    的頭像 發表于 10-31 09:43 ?521次閱讀
    Bosch刻蝕<b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>過程</b>
    主站蜘蛛池模板: 成年人免费在线视频观看| 超碰97人人做人人爱少妇| 宝贝你骚死哥了好爽| 国产精品日韩欧美一区二区三区| 好紧小嫩嫩水的10p| 免费精品国产人妻国语麻豆| 色欲AV精品人妻一区二区麻豆| 亚洲性夜夜色综合网站| a一级毛片视频免费看| 国产午夜精品美女免费大片| 琉璃美人煞在线观看| 我解开了岳的乳第一个女人| 506070老熟肥妇bbwxx视频| 动漫美女被吸奶| 久久夜色精品国产亚州AV卜| 蛇缚dvd| 浴室里强摁做开腿呻吟的漫画男男 | 99国产精品久久| 国产精品爽爽久久久久久竹菊| 狼人射综合| 亚州精品视频| sao虎影院桃红视频在线观看| 狠狠色色综合网站| 日本久久不射| 4hu四虎免费影院www| 国产亚洲视频在线| 日本中文字幕伊人成中文字幕| 樱桃熟了A级毛片| 国产亚洲视频在线观看| 秋霞伦理电影在线看| 在野外被男人躁了一夜动图| 国产精品视频大全| 青青视频国产依人在线| 综合伊人久久| 国产制服丝袜91在线| 色偷偷超碰97人人澡人人| 99C视频色欲在线| 久久久久久极精品久久久| 亚洲成人国产| 国产成人a一在线观看| 欧美一区二区视频97色伦|