年度傳感器產品、年度功率半導體/驅動器產品、年度最具潛力第三代半導體技術……安森美(onsemi)一舉入圍2024年度全球電子成就獎四大獎項，一起細數入圍產品。

全球電子成就獎 (World Electronics Achievement Awards) 旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業和管理者，由AspenCore全球資深產業分析師組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網站用戶群共同評選出得獎者。

Hyperlux LP圖像傳感器

主要特征、規格及應用領域

Hyperlux LP圖像傳感器系列基于1.4 μm 像素，提供業界領先的圖像質量和低功耗，同時大幅提高圖像性能，即使在惡劣的照明條件下也能捕獲清晰、生動的圖像，適合門禁、生物識別、監控、安防、工業自動化、公共和民用安全以及視頻會議等各種應用。

此產品系列還采用堆棧式架構設計，能最大限度地減少產品體積，最小型號小如一粒米，成為受尺寸限制困擾的緊湊型設備的理想選擇。客戶可以根據使用情況，選用500萬分辨率的AR0544、800萬分辨率的AR0830或2000萬分辨率的AR2020。

主要優勢

Hyperlux LP 傳感器的差異化優勢體現在功耗和架構方面。該系列產品經過專門構建和設計以實現低功耗。為了進一步完善硅架構，Hyperlux LP 傳感器還具備面向特定目的的功能，如運動喚醒 (WOM) 和 SmartROI，這些功能在各種工業和商業應用中非常實用。

這些功能使 Hyperlux LP 傳感器能夠在帶寬和功耗之間進行權衡，使得視覺系統可在極低功耗模式下運行。傳統傳感器由于不具備相關功能，往往需要搭載昂貴的電力電子元件和占用(電子器件)空間，無法實現理想的圖像質量。

該產品已入圍2024年度全球電子成就獎 - 年度傳感器產品。

CEM102 模擬前端(AFE)

主要特征、規格及應用領域

CEM102能以超低的電流實現超高精度的電化學傳感。CEM102具備小巧外形和業內超低功耗，是依賴電池供電的電化學傳感器應用的理想之選，工程師采用它能為工業、環境和醫療保健應用開發小巧的多用途解決方案，如空氣和氣體檢測、食品加工和農業監測，以及連續血糖監測等醫療可穿戴設備。

主要優勢

CEM102 被設計為與 RSL15 Bluetooth 5.2微控制器配合使用，RSL15提供行業功耗最低的藍牙低功耗技術。作為一個完整的電子解決方案，它使生物傳感器和環境傳感器能精確測量化學電流，同時以超低系統功耗和寬電源電壓范圍運行。這兩個器件的無縫集成、緊湊的尺寸和業界領先的能效，在縮小設備體積和確保其持久運行方面發揮著至關重要的作用，而這正是電池供電解決方案的關鍵因素。

與其他產品相比，該解決方案具有更高的精度、降噪和低功耗。它還簡化了物料清單(BoM)，易于校準，并降低制造復雜性。該系統具有寬電源電壓范圍(1.3 V至 3.6 V) ，可使用 1.5 V 氧化銀電池或 3 V 紐扣電池工作。

其運行功耗在禁用模式下僅為 50 nA，在傳感器偏置模式下為 2 uA，在 18 位 ADC 連續轉換的測量模式下為 3.5 uA。這相當于僅使用 3 mAh 電池就能工作 14 天，使用大容量電池則能工作數年，其表現在市場處于領先地位。

該產品已入圍2024年度全球電子成就獎 - 年度傳感器產品。

PowerTrench T10

主要特征、規格及應用領域

PowerTrench T10 系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，可提高數據中心能效，實現大幅節能，滿足人工智能計算的龐大處理需求。該系列產品以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現的，該設計具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導通電阻RDS(on)。

此外，軟恢復體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩健性。采用 T10，電子變流器可以設計為高效的分立方案，允許將柵極驅動器放置在 MOSFET 附近，使電流路徑更短。

PowerTrench T10 系列還符合汽車應用所需的嚴格標準，適用于各種需要 40V 和 80V MOSFET 的新型 48V 應用和傳統 12V 應用。

主要優勢

對于低壓 FET，襯底電阻可能占 RDS(ON) 的很大一部分。因此，隨著技術的進步，使用較低電阻率的襯底和減薄晶圓變得至關重要。在 T10 技術中，安森美成功減小了晶圓厚度，從而將 40V MOSFET 中襯底對 RDS(ON) 的影響從約 50% 減少到 22%。更薄的襯底也提高了器件的熱性能。

與傳統的 T8 溝槽柵極技術相比，T10 實現了：

更低的 RDS(ON) 和柵極電荷 QG，RDS(ON) < 1mΩ，QG < 10 nC。

更低的 Rsp(RDS(ON) vs 面積)

改進了 FOM(Rds x Qoss/QG/Qgd)，提高了性能和整體效率。

業界領先的軟恢復體二極管(Qrr、Trr)，減少了振鈴、過沖和噪聲。

安森美與競爭對手對比：≈1 m? RDS(ON) 40V 器件規格

該產品入圍2024年度全球電子成就獎 - 年度功率半導體/驅動器產品。

安森美領先的第三代半導體

EliteSiC M3S 650V MOSFET

EliteSiC M3S 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數據中心和儲能系統中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結 (SJ) MOSFET 相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優越，能顯著降低開關損耗。這使得設計人員能夠在提高工作頻率的同時減小系統元件的尺寸，從而全面降低系統成本。

全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)

九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM) 賦能更小、更輕的雙向快速充電平臺，可為電動汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統 (ESS) 提供雙向充電功能。與傳統的硅基 IGBT 解決方案相比，尺寸最多可減小 40%，重量最多可減輕 52%，實現在短短 15 分鐘內將電動汽車電池充電至 80%，解決電動汽車普及的關鍵難題。

優勢：

針對每個模塊， 安森美使用來自同一晶圓的芯片來確保更高的一致性和可靠性;

采用第三代 M3S SiC MOSFET技術，提供超低的開關損耗和超高的效率;

支持多電平T型中性點鉗位(TNPC)、半橋和全橋等關鍵拓撲;

支持 25 kW 至 100 kW 的可擴展輸出功率段，支持多個直流快速充電和儲能系統平臺，包括雙向充電;

采用行業標準 F1 和 F2 封裝，可選擇預涂熱界面材料 (TIM) 和壓接引腳;

實現最佳熱管理，避免因過熱導致的系統故障;

全碳化硅模塊最大限度地減少功率損耗，從而實現節能和降低成本;

提供更高的穩健性和可靠性，從而確保持續連貫工作。

安森美已入圍2024年度全球電子成就獎 - 年度最具潛力第三代半導體技術。