SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。

將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過多個加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱為SiC boule），首先確認其晶體方向，然后進行外圓磨削，加工成圓柱形晶體（有時稱為SiC puck）。用于功率器件的n型SiC晶圓，其圓柱形晶體的上下表面通常是偏角為4°的{0001}平面。接下來，形成一個定向邊或定向切口，用于指定晶片表面的晶體取向。在大口徑的SiC晶圓中，通常傾向于采用定向切口。之后，將圓柱形的單晶SiC加工成薄片，多數(shù)情況下，采用多線切割法進行切片。多線切割是在切割線與SiC晶體之間放入磨粒，按壓切割線的同時讓其移動來進行切割。切割后的SiC板由于存在厚度分布不均勻以及表面凹凸等問題，需要進行平整化處理。在平整化過程中，首先通過研磨去除微米級以上的凹凸。在該階段，由于磨粒的作用，表面上會留下細微的劃痕和凹凸。接下來，通過精加工拋光去除微米級以下的凹凸，使表面達到鏡面效果。與研磨相比，拋光使用的磨粒顆粒更小，并且在加工過程中會特別注意，避免在表面留下劃痕，同時也不會在內(nèi)部留下潛在的傷痕。

圖1：SiC晶圓加工工藝概要

（a）從坩堝中取出SiC晶錠；（b）外圓磨削；（c）形成定向邊或定向切口；（d）多線切割形成切片；（e）研磨、拋光

經(jīng)過拋光的晶圓外周通常會形成邊緣，在碰到物體時非常容易破裂。因此，需要對晶圓的外周進行邊緣研磨，以避免出現(xiàn)銳角。圖2展示了磨邊前后的外周部的剖面形狀圖。此外，關(guān)于邊緣形狀，行業(yè)協(xié)會已制定了相關(guān)標準。

圖2：晶圓邊緣在磨邊前后的剖面形狀圖

SiC是一種非常硬的材料，常被用作各種材料加工時的磨粒，因此將SiC晶棒加工成晶圓是一個長時間且難度較高的過程，仍在不斷嘗試改良中。

作為切片加工的新嘗試，有報道稱有利用激光切片的方法。在這種技術(shù)中，激光束從圓柱形晶體的頂部照射，在SiC晶體內(nèi)所需的切片深度處聚焦形成改質(zhì)區(qū)，通過對整個表面進行掃描將改質(zhì)區(qū)擴展為平面，然后剝離出薄片。一般使用多線切割進行切割時，會產(chǎn)生不可忽略的切口損耗，同時由于切割線的波動會導(dǎo)致凹凸不平，因此研磨量也會增加，導(dǎo)致浪費更多的晶體部分。相比之下，采用激光進行切片的方法，可以減少切口損耗，同時還能縮短加工時間，因此被視為一種有前景的技術(shù)。

此外，作為切片加工的另一種方法，正嘗試在金屬絲與SiC晶體之間施加電壓，產(chǎn)生放電以進行切割，從而減少切口損耗，這種方法被稱為金屬絲放電切片加工。

作為一種與傳統(tǒng)SiC單晶制備晶圓不同的方法，已有研究報告提出在異質(zhì)襯底（支撐襯底）的表面上粘合SiC單晶薄膜來制備SiC晶圓。圖3展示了粘合和剝離過程的工藝流程示意圖。首先，氫離子等從SiC單晶的表面方向注入到剝離深度。在表面平坦的支撐襯底（多晶SiC等）上疊加SiC單晶的離子注入面，然后通過加壓和升溫將SiC單晶層轉(zhuǎn)移至支撐襯底上，然后剝離。此后，SiC單晶將進行表面平坦化處理，并再次用于以上粘合過程。與SiC單晶相比，支撐襯底的成本較低，盡管目前仍有許多問題有待解決，但為了降低晶圓成本，開發(fā)仍在進行中。

圖3：將單晶薄膜壓到支撐襯底上的SiC晶圓制作流程

正文完

<關(guān)于三菱電機>

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