能源是經濟社會發展的重要物質基礎和動力源泉。近些年,“雙碳”戰略引領能源轉型革命,發展綠色低碳新質生產力既是解決全球環境問題的重要保障,更是國家經濟與民生福祉的必然要求。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱是“絕緣柵雙極型晶體管”,在新能源大功率電力電子設備中發揮著關鍵作用,兼具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
在相關政策的帶動下,我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領域得到了飛速發展,光伏及風能發電、新能源汽車、儲能、數據中心等新的應用也日益成熟,此類應用對IGBT產品具有旺盛的需求,并在產品性能、技術參數、可靠性等方面提出了較高要求。
芯導科技現已推出,采用第7代工藝技術的IGBT產品系列,具有如下優勢:
采用精細溝槽結構,窄pitch和發射極載流子存儲IGBT技術
國內最先進12吋IGBT晶圓加工工藝,具有良好的參數一致性
低導通壓降,正溫度系數,易于并聯使用
高短路耐量
低開關損耗
650V/1200V 小電流產品系列采用TO-247/TO-247PLUS單管封裝形式,適用工業控制、電動汽車PTC等領域應用:
芯導科技SiC SBD混封IGBT產品系列,具有開關頻率快、反向恢復損耗極低的特點,應用于光伏和不間斷電源領域。
1200V 100A以上大電流產品系列,主要采用Econodual3/62mm等模塊封裝形式,適用于儲能等領域:
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原文標題:IGBT產品推薦 | 采用第七代工藝,芯導科技推出650V/1200V 高性能IGBT產品
文章出處:【微信號:Prisemi,微信公眾號:芯導科技Prisemi】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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