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上海工研院2025年硅光MPW流片啟動(dòng),席位有限,預(yù)訂從速!

傳感器專家網(wǎng) ? 2024-11-21 14:03 ? 次閱讀



MPW流片


上海工研院(SITRI) 聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、上海交通大學(xué)等國(guó)內(nèi)硅基光電子領(lǐng)域知名研究機(jī)構(gòu),建立硅基光電子器件工藝平臺(tái),擁有近5000平米潔凈室,具備90nm高精度光刻、晶體外延、介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)、干法及濕法刻蝕、摻雜、金屬互連和在線工藝檢測(cè)等成套關(guān)鍵工藝能力,可以通過(guò)MPW、定制化流片、聯(lián)合研發(fā)等多種方式為各類高校、科研院所和企業(yè)提供服務(wù),滿足客戶研發(fā)、中試、封裝等多樣化需求。

經(jīng)過(guò)多年沉淀積累,上海工研院硅光平臺(tái)的服務(wù)能力持續(xù)穩(wěn)定提升,日趨成熟,獲得了行業(yè)的高度認(rèn)可。2023年,90納米硅基光電子技術(shù)入選《2023年上海市科技進(jìn)步報(bào)告》,并在2024年入選中國(guó)光學(xué)工程學(xué)會(huì)“硅基光電子三年優(yōu)秀成果展”。隨著強(qiáng)烈的市場(chǎng)需求,為確保每一位合作伙伴都能及時(shí)把握住研發(fā)創(chuàng)新的先機(jī),我們正積極調(diào)配資源,優(yōu)化流程,確保在2025年為客戶提供更加緊湊、高效的流片周期。

在此,我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)各界同仁,無(wú)論是致力于前沿探索的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì),還是追求技術(shù)創(chuàng)新的企業(yè)伙伴,盡早規(guī)劃,把握時(shí)機(jī),加入我們的流片計(jì)劃。2025年,讓我們攜手并進(jìn),在硅基光電子的廣闊天地中,共同書(shū)寫(xiě)屬于未來(lái)的輝煌篇章!

安排

硅光MPW流片安排

* 表中時(shí)間為客戶首次提交自查DRC free的版圖時(shí)間。

*單個(gè)Block尺寸3mm × 10mm,交付25個(gè)芯片


工藝

硅光MPW流片工藝


上海工研院共提供5套硅光工藝,包括90nm SOI無(wú)源工藝、180nm SiN無(wú)源工藝、SiN on SOI無(wú)源工藝、90nm SOI有源工藝和SiN on SOI有源工藝。具體工藝能力如下:


01

90nm SOI無(wú)源工藝

目前,SOI無(wú)源集成工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,具備三步硅刻蝕、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源器件。

基本工藝能力如下表所示:



02

180nm SiN無(wú)源工藝

SiN集成工藝流片具備LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能氮化硅無(wú)源器件。

基本工藝能力如下表所示:



03

SiN on SOI無(wú)源工藝

SiNonSOI無(wú)源集成工藝流片,Si的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,SiN的最小工藝節(jié)點(diǎn)為200nm,具備了三步硅刻蝕、LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連以及深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力。該工藝結(jié)合了氮化硅和SOI平臺(tái)的優(yōu)點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的硅光子和氮化硅無(wú)源器件。

基本工藝能力如下表所示:



04

90nm SOI有源工藝

目前,90nm SOI有源工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,具備三步硅刻蝕、多步有源器件摻雜、鍺外延與TiN金屬加熱電極、雙層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源、有源器件。

基本工藝能力如下表所示:



05

SiN on SOI有源工藝

SiNon SOI有源工藝流片,Si的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,SiN的最小工藝節(jié)點(diǎn)為200nm,具備三步硅刻蝕、多步有源器件摻雜、LPCVD氮化硅、鍺外延與TiN金屬加熱電極、雙層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力。該工藝結(jié)合了氮化硅和SOI平臺(tái)的優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源、有源器件和氮化硅無(wú)源器件。

基本工藝能力如下表所示:

服務(wù)流程


如有流片需求,請(qǐng)郵件聯(lián)系商務(wù)潘經(jīng)理獲取PDK,歡迎垂詢!

郵箱:Hongming.Pan@sitri.com

電話:13916643350

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關(guān)于上海工研院


上海微技術(shù)工業(yè)研究院(簡(jiǎn)稱“上海工研院”,SITRI)成立于2013年,由上海市科委、嘉定區(qū)政府和新微集團(tuán)發(fā)起共建,依托新微集團(tuán)“三位一體”協(xié)同創(chuàng)新體系,打造集科學(xué)研究、技術(shù)開(kāi)發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)孵化和人才培養(yǎng)于一體的研發(fā)與轉(zhuǎn)化功能型平臺(tái)。通過(guò)“超越摩爾”集成電路領(lǐng)域全流程中試和關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā),為合作伙伴與創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)提供全面技術(shù)支持和產(chǎn)業(yè)孵化服務(wù)。


上海工研院是國(guó)務(wù)院國(guó)資委“科改行動(dòng)”標(biāo)桿企業(yè)、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)企業(yè)、上海市“專精特新”企業(yè),連續(xù)兩年入選上海市硬核科技企業(yè)TOP100,已累計(jì)申請(qǐng)專利近千件,培育孵化公司20余家,總估值超過(guò)120億元。


上海工研院立足上海、面向長(zhǎng)三角、輻射全國(guó),構(gòu)建科學(xué)研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)孵化+資本賦能+人才高地全過(guò)程創(chuàng)新和高質(zhì)量孵化生態(tài)鏈,建設(shè)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新深度融合發(fā)展的“超越摩爾”功能型平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)生態(tài),推動(dòng)“超越摩爾”領(lǐng)域新質(zhì)生產(chǎn)力躍升。


聯(lián)系我們

電話:(+86) 21 6992 3266

郵箱:info@sitri.com

網(wǎng)址:www.sitri.com

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原文標(biāo)題:上海工研院2025年硅光MPW流片啟動(dòng),席位有限,預(yù)訂從速!

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