隨著人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的蓬勃推進(jìn),寬禁帶半導(dǎo)體材料——尤其是碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)——憑借其卓越性能迎來了迅猛的發(fā)展勢頭。為了深入剖析并精確測量這些先進(jìn)器件的各項(xiàng)參數(shù)及特性,進(jìn)而提升其效率與可靠性,聯(lián)訊儀器最新推出了10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV,能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測量,完成各種高精度的半導(dǎo)體表征測試。
01,高精度自動(dòng)測量
聯(lián)訊儀器最新推出了10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV,能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測量,可配合高精度SMU完成各種功率半導(dǎo)體的表征測試。
▲RM1013-HV高壓低泄漏開關(guān)矩陣框圖
多路高壓靈活測量
支持2路高壓低泄漏電流通道輸入,整機(jī)支持10路輸入和24路輸出,提高參數(shù)測量的靈活性,節(jié)省成本和時(shí)間。可配合SMU/CMU/DMM等測量設(shè)備實(shí)現(xiàn)一套高效的半導(dǎo)體參數(shù)自動(dòng)測試系統(tǒng)。
高壓低泄漏電流
矩陣低泄漏電流小于300pA@3000V(高壓低泄漏電流通道),可配合高精度的SMU (如S3030F等)實(shí)現(xiàn)高精度自動(dòng)測量。
支持快速測量
開關(guān)矩陣電流建立時(shí)間小于10秒(1V電壓輸入開始到電流<300fA的時(shí)間),可配合SMU (如S3030F,S2016C等)實(shí)現(xiàn)微弱電流信號(hào)的快速測量。
高繼電器觸點(diǎn)壽命
開關(guān)矩陣使用世界一流的干簧管制作的繼電器,機(jī)械壽命最高可達(dá)10^8次。
10MHz帶寬
開關(guān)矩陣優(yōu)化了C-V和DMM通道的傳輸帶寬,滿足高速測試的需求。
控制連接
支持通過USB線纜或LAN直接連接至RM1013-HV,實(shí)現(xiàn)通道閉合斷開的控制。可以通過編程(SCPI 指令)或GUI界面控制。界面GUI非常直觀和簡潔,可輕松配置通道的閉合、斷開進(jìn)行測量。
▲矩陣控制軟件GUI
02,通道配置
參數(shù)名稱 | 指標(biāo) |
輸入通道數(shù)量 |
2 (High Voltage Low Leakage I-V Port,3500V) 4(General I-V Port,200V) 2 (C-V Port) 2 (DMM Port) |
輸出通道數(shù)量 | 8/16/24 |
03,典型應(yīng)用場景
使用高壓低漏電開關(guān)矩陣可以與源表/高壓源表/LCR meter/數(shù)字萬用表等儀表無縫集成,組成強(qiáng)大的功率器件I-V、C-V參數(shù)自動(dòng)化測試系統(tǒng)。可以高效測量MOSFET/IGBT/BJT/Diode/電容/電阻等器件的I-V、C-V各項(xiàng)特征參數(shù),例如MOSFET 的BVdss、Off-leak/Id(off)-Vds、 Id-Vds等。不同器件及不同測量項(xiàng)目之間通過編程控制自動(dòng)進(jìn)行連接路徑切換,一站式完成測量。
▲矩陣路徑切換示意圖
在半導(dǎo)體功率器件測試中通常需要測量Ciss/Coss/Crss等高壓電容參數(shù)。高壓電容測量與I-V測量之間的路徑切換一直是測試中的難點(diǎn),高壓切換矩陣中內(nèi)置了可切換的高壓電容測量偏置電路(HV Bias Tee),可以有效地解決這個(gè)問題。
▲SiC MOSFET 電容特性 ▲電容等效模型
審核編輯 黃宇
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