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第二代CoolSiC 34mΩ 1200V

SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開(kāi)關(guān)工況和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMBG120R034M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

開(kāi)關(guān)損耗極低

過(guò)載運(yùn)行溫度最高可達(dá)Tvj=200°C

短路耐受時(shí)間2μs

基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th)=4.2V

抗寄生開(kāi)通能力強(qiáng)，可用0V柵極關(guān)斷電壓

用于硬換流的堅(jiān)固體二極管

.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類(lèi)最佳的散熱性能

應(yīng)用價(jià)值

更高的能源效率

優(yōu)化散熱

更高的功率密度

新的穩(wěn)健性性能

高可靠性

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

最低RDS(on），最高輸出能力

市場(chǎng)上最精細(xì)的產(chǎn)品系列

過(guò)載運(yùn)行溫度最高可達(dá)Tvj=200°C

強(qiáng)大的短路額定值

雪崩穩(wěn)健性

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車(chē)充電

組串逆變器

光伏優(yōu)化器

在線式UPS/工業(yè)UPS

通用變頻器（GPD）