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第二代CoolSiC 34mΩ 1200V
SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。
第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。
產品型號：
■IMBG120R034M2H
產品特點
開關損耗極低
過載運行溫度最高可達Tvj=200°C
短路耐受時間2μs
基準柵極閾值電壓，VGS(th)=4.2V
抗寄生開通能力強，可用0V柵極關斷電壓
用于硬換流的堅固體二極管
.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
應用價值
更高的能源效率
優化散熱
更高的功率密度
新的穩健性性能
高可靠性
競爭優勢
最低RDS(on），最高輸出能力
市場上最精細的產品系列
過載運行溫度最高可達Tvj=200°C
強大的短路額定值
雪崩穩健性
應用領域
電動汽車充電
組串逆變器
光伏優化器
在線式UPS/工業UPS
通用變頻器（GPD）
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