來源：化合積電

近日，廈門大學張洪良教授課題組和化合積電在Electron發表了題為“Recent progress on heteroepitaxial growth of single crystal diamond films”的綜述文章。該文章探討了單晶金剛石薄膜異質外延生長的原理、挑戰、結構和電子性質及潛在應用，并指導了該新興領域的未來研究方向。

文章指出，金剛石是一種具有卓越物理和化學性質的終極半導體材料，擁有超寬帶隙、出色的載流子遷移率、極高的熱導率以及穩定性，在包括電力電子、散熱、傳感器和光電器件在內的多種應用中極具吸引力。然而，生長出大尺寸且高質量的單晶金剛石薄膜是一大挑戰。異質外延生長是一種有望實現大尺寸（可達3英寸）且電性能可控的單晶金剛石晶片的有前景的方法。

單晶金剛石從同質外延到異質外延生長模式的發展趨勢

最近的研究表明，已成功在各種襯底上，尤其是Ir/藍寶石襯底上，實現了單晶金剛石薄膜的異質外延生長，為金剛石在電子行業中的潛在應用鋪平了道路。異質外延金剛石在高效電力電子器件（肖特基勢壘二極管（SBD）、場效應晶體管（FET）的應用，證明了這項技術在電子設備中的可行性。

金剛石基 (A) SBD和 (B) FET的比導通電阻與擊穿電壓

高性能電子設備的需求持續增長進一步開拓了單晶金剛石薄膜的異質外延生長應用前景。隨著技術進步和對生長機制的深入理解，異質外延金剛石可能會徹底改變電子行業，并推動利用金剛石卓越特性的各種應用的發展。

化合積電高質量藍寶石基銥單晶襯底

化合積電目前通過異質外延法，在藍寶石襯底上成功實現高質量銥單晶薄膜生長。利用高質量銥單晶薄膜，將有效提高單晶金剛石的生長質量，對于制備高質量大尺寸單晶金剛石半導體材料具有重要意義。長期以來，公司聚焦金剛石功率半導體材料的研究和開發，與海內外諸多著名公司及科研機構常年保持密切技術交流與合作，為廣大客戶提供專業領先的金剛石產品和解決方案。

化合積電現對外發售高品質銥單晶薄膜，加速推進大尺寸的金剛石半導體材料制備，歡迎進行詢價采購。

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單晶銥SEM圖（567X)

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審核編輯 黃宇