一.Fujitsu鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)原理
Fujitsu是全球最大的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)供貨商，F(xiàn)ujitsu公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵晶體管材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)和非揮發(fā)性存貯產(chǎn)品(ROM)的特性。
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

鐵晶體管材料的工作原理是：當(dāng)我們把電場(chǎng)加載到鐵晶體管材料上，晶陣中的中心原子會(huì)沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，晶陣中的每個(gè)自由浮動(dòng)的中心原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，一個(gè)我們拿來(lái)記憶邏輯中的０、另一個(gè)記億１，中心原子能在常溫，沒(méi)有電場(chǎng)的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)一百年以上。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存資料。

二、Fujitsu鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)
傳統(tǒng)半導(dǎo)體內(nèi)存有兩大體系：揮發(fā)性內(nèi)存(VolatileMemory)，和非揮發(fā)性內(nèi)存
(Non-volatileMemory)。
揮發(fā)性內(nèi)存如SRAM和DRAM在沒(méi)有電源的情況下都不能保存資料，但這種內(nèi)存擁有高性能、易用等優(yōu)點(diǎn)。

非揮發(fā)性內(nèi)存像EPROM、EEPROM和FLASH能在斷電后仍保存資料，但由于所有這些內(nèi)存均起源自只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)，所以您不難想象得到它們都有不易寫(xiě)入的缺點(diǎn)，確切的來(lái)說(shuō)，這些缺點(diǎn)包括寫(xiě)入緩慢、有限次寫(xiě)入次數(shù)、寫(xiě)入時(shí)需要特大功耗等等。
FRAM第一個(gè)最明顯的優(yōu)點(diǎn)是FRAM可跟隨總線(BusSpeed)速度寫(xiě)入，若比較起EEPROM/Flash的最大不同的是FRAM在寫(xiě)入后無(wú)須任何等待時(shí)間(NoDelayTMWrite)，而EEPROM/Flash須要等3~10毫秒(mS)才能寫(xiě)進(jìn)下
一筆資料。

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的第二大優(yōu)點(diǎn)是近乎無(wú)限次讀寫(xiě)。當(dāng)EEPROM/Flash只能應(yīng)付十萬(wàn)次(10的5次方)至一百萬(wàn)次寫(xiě)入時(shí)，新一代的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)已達(dá)到一百億個(gè)億次(10的10次方)的寫(xiě)入壽命。

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的第三大優(yōu)點(diǎn)是超低功耗。EEPROM的慢速和高電流寫(xiě)入令它需要高出FRAM2,500倍的能量去寫(xiě)入每個(gè)字節(jié)。

三、FujitsuFRAM鐵電存儲(chǔ)器的接口方式
所有產(chǎn)品皆符合工業(yè)規(guī)格溫度標(biāo)準(zhǔn)-40℃至85.℃，所提供產(chǎn)品有串行I2C和SPI接口以及并行接口三種方式：
1.串行接口：
串行I 2C接口配選最少的接腳;
串行SPI接口(SPIBus)產(chǎn)品需要多一至兩個(gè)接腳，但均具有高速和通訊協(xié)議簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
常見(jiàn)型號(hào)：MB85RC1MT、MB85RC512T、MB85RC256V、MB85RC128A、MB85RC64TA、MB85RC64A、MB85RC64V、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC04、MB85RC04V
MB85RS2MT、MB85RS1MT、MB85RS512T、MB85RS256B、MB85RS128B、MB85RS64T、
MB85RS64V、MB85RS64、MB85RS16。

2.并行接口：與標(biāo)準(zhǔn)SRAM腳位兼容。并行FRAM對(duì)SRAM+Battery(后備電池)的無(wú)奈設(shè)計(jì)方式，提供了一個(gè)最佳的解決方案。系統(tǒng)工程師不再需要擔(dān)心電池干涸，和在系統(tǒng)里加上笨拙的機(jī)械裝置。FRAM的封裝就像SRAM一樣有簡(jiǎn)單的SMD表面黏著封裝(SOIC)或插腳封裝(DIP)---而您也該是時(shí)候把電池仍掉了！
常見(jiàn)型號(hào)：MB85R8M1TA、MB85R8M2TA、MB85R8M2T、MB85R4M2T、MB85R4001A、MB85R4002A、MB85R1001A、MB85R1002A、MB85R256F

四、FRAM鐵電存儲(chǔ)器應(yīng)用市場(chǎng)
物聯(lián)網(wǎng)(Lot)
汽車
工業(yè) (用于設(shè)施)
工業(yè) (用于基礎(chǔ)設(shè)施)
智能電表
企業(yè)
消費(fèi)類
醫(yī)療類
聯(lián)網(wǎng)

審核編輯 黃宇