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解說篇:模組雖小,SIM卡電路設計不能少!

合宙LuatOS ? 來源:合宙LuatOS ? 作者:合宙LuatOS ? 2024-12-04 21:03 ? 次閱讀

本文解說的是關于SIM卡接口功能及其電路設計相關注意事項,我將詳細信息整理如下分享給大家。

一、SIM卡接口功能描述

Air700ECQ/Air700EAQ/Air700EMQ系列模組支持1路USIM接口,符合ETSI和IMT-2000規范,可自適應支持1.8V和3.3V USIM卡。

注意:因為超小超薄系列設計取向為尺寸超小,所以無法在硬件上同時支持移動、電信和聯通,三大運營商分三個不同的版本。

Air700ECQ:支持中國移動;
Air700EAQ:支持中國電信;
Air700EMQ:支持中國聯通。

最新開發資料詳見:
https://docs.openluat.com/

1.SIM卡相關管腳

SIM卡信號相關管腳,詳見下方圖表:

wKgZPGdQUieAOrYOAAXCrJU0254575.pngwKgZO2dQUj6AKBIEAAE96R10Hsk119.png

wKgZPGdQUk6AEvXbAARID7d9g6U923.png

2.SIM卡電氣特性

- 支持SIM卡類型:1.8V/3.3V USIM卡;

- 支持協議:ETSI/IMT-2000;

- SIM卡在位檢測支持;

wKgZPGdQUm2AFV43AADd0h7ayOg951.pngwKgZO2dQUoWAF1wnAAJbKjuF8SU441.png

3. SIM卡時序

激活時序:

當SIM卡的觸點接通序列結束后(RST處于低電平,VCC穩定供電,ME的I/O處于接收狀態,VPP被置為空閑狀態,CLK提供適當的、穩定的時鐘),SIM卡準備復位。

如下圖所示:

wKgZPGdQUpKAE-V6AAJDxwNakH8614.png

時鐘信號在T0時刻加到CLK觸點,I/O總線在時鐘信號加到CLK觸點200個時鐘周期(T0時刻之后的t2時間段)之內應該處于高阻狀態;

內部復位的SIM卡,在幾個時鐘周期之后開始復位,復位應答應該在400~40000個時鐘周期內開始(T0時刻之后的t1時間段之內);

低電平復位的SIM卡的復位信號至少在40000個時鐘周期內RST觸點維持低電平(T0之后的t3時間段內),如果在40000個時鐘周期內沒有復位應答,則RST觸點被置為高電平;

I/O端的復位應答必須在RST上升沿開始的400~40000個時鐘周期內開始(T1時刻之后的t1時間段之內);

如果復位應答在400~40000個時鐘周期內沒有開始(T1時刻之后的t3時間段之內),則RST觸點的電平將被置為低電平(在T2時刻),觸點也將被ME釋放。

二、SIM卡接口電路設計指導

常用的SIM卡參考設計及注意事項如下,在應用中注意結合實際情況優化調整:

▼ 常用SIM卡參考設計 ▼

wKgZO2dQUqqAOnWLAAJs3nzcgwk324.png

設計注意事項:

SIM卡座與模組距離擺件不能太遠,越近越好,盡量保證SIM卡信號線布線不超過20cm。

SIM卡信號線布線遠離RF線和VBAT電源線。

為了防止可能存在的USIM_CLK信號對USIM_DATA信號的串擾,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增加地屏蔽。且對USIM_RST_N信號也需要地保護。

為了保證良好的ESD保護,建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在模組和SIM卡之間也可以串聯22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強ESD防護。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。

三、SIM卡常見問題

在出現SIM卡不識別卡時,測量SIM卡供電VDD_SIM,總是發現VDD_SIM為低電平?

原因解析:

SIM卡在初始化時,系統會嘗試4次與SIM卡交互。此時VDD_SIM也會打開4次,分別在1.8V和3.3V交替檢測,若檢測不到SIM卡,VDD_SIM卡就會關閉,如下圖:

wKgZPGdQUr2AbuKEAAXjbfmFTTQ158.png

因此在檢測不到SIM卡的情況下,USIM_VDD總是低電平。

設計建議:

VDD_SIM不輸出不是SIM卡不識別的原因,而是結果;SIM卡上任何一個信號異常,均會導致VDD_SIM自動關閉。

今天的內容就分享到這里了

審核編輯 黃宇

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