本文介紹了刻蝕工藝參數有哪些。

刻蝕是芯片制造中一個至關重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結構。它通過化學或物理方法去除材料層，以達到特定的設計要求。本文將介紹幾種關鍵的刻蝕參數，包括不完全刻蝕、過刻蝕、刻蝕速率、鉆蝕、選擇比、均勻性、深寬比以及各向同性/異性刻蝕。

不完全刻蝕

不完全刻蝕是指在刻蝕過程中未能完全去除指定區域內的材料，導致表面層還留在圖形孔中或表面上的情況。這種情況可能由多種因素引起，如刻蝕時間不夠長或者待刻蝕薄膜厚度不均等。

過刻蝕

為了確保所有需要移除的部分都被徹底清除，并且考慮到表層厚度的變化，通常會在設計時預留一定的過刻蝕量。這意味著實際刻蝕深度會超過目標值。適當的過刻蝕對于保證后續工序的成功執行是非常必要的。

刻蝕速率

刻蝕速率指的是單位時間內被刻蝕掉的材料厚度，它是評價刻蝕效率的重要指標之一。負載效應是一種常見的現象，在這種情況下，由于反應等離子體不足而導致刻蝕速率降低或刻蝕分布不均。這可以通過調整工藝條件如壓力、功率等來改善。

鉆蝕

當刻蝕不僅發生在目標區域內，同時也沿著光刻膠邊緣向下進行時，就形成了所謂的“鉆蝕”。這種現象會導致側壁傾斜，從而影響到器件尺寸精度。控制好氣體流量和刻蝕時間有助于減少鉆蝕的發生。

選擇比

選擇比是指在同一條件下兩種不同材料之間的刻蝕速率之比。高選擇比意味著能夠更精確地控制哪些部分被刻蝕而哪些保留下來，這對于實現復雜的多層結構至關重要。

均勻性

均勻性用來衡量整個晶圓上或者一批次之間刻蝕效果的一致程度。良好的均勻性能確保每個芯片都具有相似的電學特性。

深寬比

縱橫比定義為特征的高度與寬度之比。隨著技術的發展，對更高縱橫比的需求日益增加，因為這樣可以使得設備更加緊湊高效。然而，這也給刻蝕帶來了挑戰，因為需要保持垂直度的同時還要避免底部出現過度腐蝕。

各向同性與各向異性刻蝕

各向同性：刻蝕過程在各個方向上均勻發生，適用于某些特定的應用場景。

各向異性：相比之下，各向異性刻蝕則主要沿著垂直方向發展，適合于制作精細的三維結構。現代集成電路制造往往傾向于使用后者來獲得更好的形狀控制。