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本周，英飛凌、意法半導體、Vishay、圣邦微電子等半導體大廠推出新品，涵蓋工業、電動汽車、發電和儲能等應用領域。

本周，英飛凌、意法半導體等多家半導體頭部廠商發布了芯片等新品，芯片等產品的應用領域涵蓋工業驅動器和工具的芯片應用、電動汽車( EV )車載充電器和電機芯片應用、發電和儲能系統芯片應用等。

01 | 英飛凌：可實現高開關頻率應用的IGBT芯片

英飛凌近期發布Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品芯片。該芯片采用最新一代TRENCHSTOP? IGBT H7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11芯片和F3L500R12W3H7_H11芯片擴展了Easy系列在1000 VDC系統中系列芯片產品組合，芯片可以實現高開關頻率應用。

EasyPACK?芯片封裝圖，圖源：“英飛凌工業半導體”公眾號

芯片產品特點：

-該芯片是1200V IGBT7 H7高速IGBT芯片

-芯片具有175℃過載能力

-芯片低VCEsat

-芯片具有耐濕性

-PressFIT壓接式大電流引腳

系列芯片競爭優勢：

-市場上應用最廣泛的Easy模塊封裝，芯片提供各種拓撲結構、電壓等級、封裝規格和技術等選擇，芯片能滿足不同的應用目的。

-芯片為太陽能、ESS、制氫、電動汽車充電、UPS和燃料電池等高開關頻率應用提供經濟高效的芯片解決方案。

系列芯片應用價值：

-芯片最高額定功率可達150千瓦

-芯片最佳性價比，降低系統芯片成本

-芯片高頻運行時，降低芯片冷卻要求

系列芯片應用領域：太陽能、UPS、制氫、儲能、電動汽車充電

02| 圣邦微電子：SPI 接口、帶內部基準電壓輸出的芯片

圣邦微電子推出 SGM71622R8的系列芯片，該芯片是一款 8 通道、16 位、SPI 接口、帶內部基準電壓輸出的數模轉換器(DAC)。該芯片器件可應用于光學模塊、可編程邏輯控制器、工業自動化和實驗室儀器等對芯片的需求。

SGM71622R8 系列芯片數模轉換器以其卓越的 16 位精度和 8 通道芯片設計，使該芯片成為低功耗應用的理想選擇。該系列芯片內置 2.5V、5ppm/℃ 的高精度內部基準，芯片提供 1.25V(增益=?)、2.5V(增益=1)或 5V(增益=2)的可編程全量程輸出電壓范圍，并確保芯片高達 ±0.5LSB(典型值)的高線性度。

該系列芯片應用DAC擁有靈活的串行操作接口，芯片完全兼容 SPI，且芯片支持高達 50MHz 的工作時鐘頻率，滿足芯片高速數據轉換需求。

SGM71622R8系列芯片還集成了上電復位管理電路，該芯片設置確保設備啟動時芯片有穩定的默認輸出電壓。芯片提供兩種上電復位電壓選項：0V 或中量程，以適應不同的芯片應用場景。

在5.5V供電條件下，系列芯片每通道的功耗僅為0.5mA，該芯片非常適合電池供電的便攜設備。在省電模式下，系列芯片功耗進一步降低至 0.5μA/通道，因此該系列芯片顯著延長設備的使用壽命。

SGM71622R8 系列芯片采用符合環保理念的芯片TQFN-3.5×3.5-16AL、芯片TQFN-3×3-16DL和芯片 WLCSP-2.45×2.45-16B綠色封裝，芯片工作溫度范圍 -40℃至+125℃，芯片適用于各種嚴苛環境。

03 | ST：應用于工業狀態監測、工廠自動化、環境監測的通信模塊

意法半導體新推出一款增強版移動數據通信模塊，可簡化大規模物聯網設備的連接和管理，加快可持續智能電網和智能產業的應用。

圖源：“意法半導體中國”公眾號

意法半導體在同一模塊中增加了無線M-Bus(wM-Bus)連接功能，為收集居民水電燃氣的使用數據提供了一個額外的標準化的備用信道。

與集成一種連接技術的解決方案相比，在同一模塊內整合eSIM和NB-IoT兩種連接技術的解決方案可以簡化系統管理，降低系統成本，同時保護數安全，并增加一道額外的安全保護。

該模塊的主要靈活性是意法半導體為該模塊專門設計的軟件定義射頻收發器，它能夠在蜂窩NB-IoT和sub-GHz wM總線通信模式之間動態切換，因此，該模塊適用于各種應用場景。其他的靈活性是在開發簡單的應用時，支持用戶代碼直接嵌入到模塊內，在開發更復雜的應用時，可以把模塊連接到單獨的主微控制器。

ST87M01模塊全系通過工業級認證，采用10.6㎜x12.8㎜封裝，讓設計人員能夠設計出性能可靠、高性價比、超緊湊型的產品。

通過在同一模塊上整合定位和多連接選裝配置，ST87M01平臺可用于工業狀態監測、工廠自動化、智能農業、環境監測，以及智能建筑、智能城市和智能基礎設施。

04 | Vishay：推出超快恢復整流器

Vishay推出四款采用 eSMP?系列 SMF (DO-219AB) 封裝的汽車級器件，進一步擴展其第七代 1200 V FRED Pt? 超快恢復整流器平臺陣容。1 A和2 A整流器針對工業和汽車應用進行了優化，在同類器件中，不僅在反向恢復電荷(Qrr)和正向壓降之間實現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時間。

為了降低開關損耗并提高效率，這些器件融合了低至 45 ns 的快速恢復時間，低至 105 nC 的 Qrr(典型值)，低至 1.45 V 的正向壓降和低至 3.0 pF 的結電容等特點。性能可靠的整流器在尺寸為 4.2 ㎜ x 1.4 ㎜的緊湊封裝中提供了高達 21 A 的非重復峰值浪涌電流，厚度低至 1.08 ㎜，最小爬電距離僅 2.2 ㎜。