近日， 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉斯維加斯舉辦的2025年國際消費電子展覽會（CES 2025），全面展示在AI數據中心、電動汽車和移動快充取得多項重大突破。近日，納微半導體連續第三年入榜德勤北美高成長科技企業500強。

在本次CES上，納微半導體將展示如何用代表清潔能源的下一代功率半導體——氮化鎵和碳化硅來取代傳統硅，踐行Electrify our World的使命。展示的最新技術專為那些對效率和功率密度要求極高的高增長市場而設計，如AI數據中心、電動汽車和移動設備領域。此外，納微還將揭秘氮化鎵和碳化硅技術如何助力減少碳足跡，實現到2050年預計每年可減少超過60億噸二氧化碳排放的宏偉目標。

主要的展品及技術亮點包括：

全球唯一的650V

GaNFast雙向氮化鎵功率芯片

具有革命性意義的氮化鎵技術，適用于對效率和功率密度要求最高、復雜度最低且能顯著減少元件數量的下一代解決方案。

全球首款8.5kW

AI數據中心服務器電源

見證全球首個為AI和超大規模數據中心打造的8.5kW OCP電源解決方案，其效率達98%。該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓撲結構和三相交錯CCM TP-PFC結構，可實現最高效率、性能以及最少的元件數量。

全球功率密度最高的

AI數據中心服務器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足搭載最新AI GPUs機柜增長了3倍的功率需求，可實現137W/in3的全球最高功率密度以及超過97%的效率。

搭載IntelliWeave專利數字控制技術的

AI數據中心服務器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設計，PFC的峰值效率高達99.3%，相較現有方案降低30%的功率損耗。

符合AEC-Q101車規認證的

第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創新領導地位，GeneSiC推出全球領先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術研發，為實現最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優化，為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

集成之巔，易用至極的

GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進一步簡化并加速小型化、高功率密度應用的開發。目標應用包括移動設備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達500W的照明系統。

為耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模塊

采用行業領先的“溝槽輔助平面柵”技術和環氧樹脂灌封，提高功率循環次數和持久可靠性，碳化硅封裝模塊外形緊湊，為電動汽車充電、驅動器、太陽能和儲能系統（ESS）等應用提供具有成本效益、高功率密度的解決方案。

領先的GaNFast

和GeneSiC技術新進展

為馬達驅動打造的GaNSense功率芯片，具備雙向無損電流感測、電壓感測和溫度保護功能，進一步提升性能和穩健性，是任何分立氮化鎵或分立硅器件無法企及的水平。

專門針對電動汽車牽引模塊優化的GeneSiC MOSFET裸片，經過額外篩選和鍍金金屬化處理以用于燒結。

符合可持續發展的解決方案

了解納微半導體的愿景，即通過提供更高效率、密度和電網獨立性的技術，實現到 2050 年每年減少多達60億噸二氧化碳排放的宏偉愿景。

本次納微半導體在CES 主會場不設展臺，納微的最新技術和展品及會談地點位于：Tech West / Venetian（威尼斯人酒店）的29-335套房。

衷心期待與您在CES上相見，共同探索全電氣化未來的無限可能！

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。