當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術推進的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。

同時，隨著全球能源結(jié)構向可再生能源轉(zhuǎn)型，太陽能光伏和儲能系統(tǒng)的普及對高效功率器件的需求不斷增加，各國在環(huán)保法規(guī)和能源戰(zhàn)略上對可再生能源的支持力度不斷加大。這些都為第三代半導體，包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好契機。據(jù)WSTS近期發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球半導體市場增長至1660億美元，環(huán)比增長10.7%，該增幅是自2016年末以來的最高環(huán)比紀錄。

氮化鎵(GaN)具有高頻、高功率、低能耗等特點，廣泛應用于射頻通信、電力電子等領域。碳化硅(SiC)具有高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率等優(yōu)點，適用于高溫、高壓、高頻應用場景。相對于傳統(tǒng)的硅基功率器件，第三代半導體具有多重優(yōu)勢，包括更高的開關速度、支持高電流密度、耐受更高的溫度、低導通和開通損耗。與此同時，其發(fā)展也伴隨著一些技術挑戰(zhàn)，如寄生電感效應、封裝寄生電阻、電磁干擾等。此外，不同領域應用的功率器件特點迥異，需要根據(jù)相應需求和產(chǎn)品特性選擇合適的制造技術，以提升器件性能和可靠性，降低成本，以滿足日益增長的市場需求。

隨著新業(yè)態(tài)、新應用的興起，各類功率器件也越來越多樣化，對于不同形態(tài)的功率器件，兼具高效率、高可靠性和低成本等特點的半導體封裝技術在其制造過程中不可或缺。在封裝領域，可通過技術手段實現(xiàn)優(yōu)化散熱結(jié)構，提升功率密度和熱管理效率，減少電能損耗等，助力第三代半導體器件充分釋放材料性能潛力，推動更多創(chuàng)新應用的實現(xiàn)，從而為行業(yè)發(fā)展增添創(chuàng)新動力。

長電科技是全球領先的集成電路制造和技術服務提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統(tǒng)集成、設計仿真、技術開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試并可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。

通過高集成度的晶圓級（WLP）、2.5D/3D、系統(tǒng)級（SiP）封裝技術和高性能的倒裝芯片和引線互聯(lián)封裝技術，長電科技的產(chǎn)品、服務和技術涵蓋了主流集成電路系統(tǒng)應用，包括網(wǎng)絡通訊、移動終端、高性能計算、車載電子、大數(shù)據(jù)存儲、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領域。長電科技在中國、韓國和新加坡設有八大生產(chǎn)基地和兩大研發(fā)中心，在20多個國家和地區(qū)設有業(yè)務機構，可與全球客戶進行緊密的技術合作并提供高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。