本文介紹了半導(dǎo)體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長(zhǎng)以及高純碳化硅粉體的合成方式。

在科技飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的變革。第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC），憑借其卓越的物理特性，在眾多高科技應(yīng)用中嶄露頭角，備受全球矚目。

特性卓越，應(yīng)用廣泛

SiC之所以能在半導(dǎo)體舞臺(tái)上大放異彩，首先得益于其出色的寬帶隙特性。其寬帶隙范圍在2.3-3.3eV之間，這一特性使其成為制造高頻、大功率電子器件的理想之選。就像為電子信號(hào)搭建了一條寬闊的高速公路，能夠讓高頻信號(hào)順暢通行，為實(shí)現(xiàn)更高效、更快速的數(shù)據(jù)處理和傳輸提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 高熱導(dǎo)率也是SiC的一大亮點(diǎn)，其熱導(dǎo)率可達(dá)3.6-4.8W·cm-1·K-1。這意味著它能夠迅速將熱量散發(fā)出去，如同給電子器件安裝了一個(gè)高效的散熱“引擎”，使其在抗輻射、抗腐蝕的電子器件應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。無(wú)論是在太空探索中面臨宇宙射線輻射的考驗(yàn)，還是在惡劣工業(yè)環(huán)境下抵御腐蝕的侵蝕，SiC都能堅(jiān)守崗位，穩(wěn)定運(yùn)行。 此外，SiC還擁有高載流子飽和遷移率，為1.9-2.6×107cm·s-1。這一特性進(jìn)一步拓展了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，為提升電子器件的性能提供了有力支持，讓電子在其中能夠快速且高效地移動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的功能。

歷史的發(fā)展與演進(jìn)

回顧SiC晶體材料的發(fā)展歷程，猶如翻開(kāi)一部科技進(jìn)步的史書。早在1892年，Acheson就發(fā)明了用二氧化硅和碳合成SiC粉體的方法，為SiC材料的研究開(kāi)啟了大門。然而，當(dāng)時(shí)制得的SiC材料純度有限，尺寸也較小，如同一個(gè)尚在襁褓中的嬰兒，雖有無(wú)限潛力，但還需不斷成長(zhǎng)與完善。 時(shí)間來(lái)到1955年，Lely通過(guò)升華技術(shù)成功生長(zhǎng)出相對(duì)純凈的SiC晶體，這無(wú)疑是SiC發(fā)展史上的一個(gè)重要里程碑。但可惜的是，該方法得到的SiC片狀材料尺寸小，性能差異大，就像一群參差不齊的士兵，難以在高端應(yīng)用領(lǐng)域形成強(qiáng)大的戰(zhàn)斗力。 直到1978-1981年，Tairov和Tsvetkov在Lely法基礎(chǔ)上引入籽晶，精心設(shè)計(jì)溫度梯度以控制物質(zhì)運(yùn)輸，也就是我們現(xiàn)在所說(shuō)的改進(jìn)的Lely法或籽晶升華法（PVT法）。這一創(chuàng)新舉措，為SiC晶體的生長(zhǎng)帶來(lái)了新的曙光，使得SiC晶體的質(zhì)量和尺寸控制有了顯著的提升，為后續(xù)SiC在更多領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

單晶生長(zhǎng)的核心要素

在SiC單晶的生長(zhǎng)過(guò)程中，SiC粉體的質(zhì)量起著決定性的作用。當(dāng)使用β-SiC粉體生長(zhǎng)SiC單晶時(shí)，會(huì)發(fā)生向α-SiC的相轉(zhuǎn)變，這一過(guò)程會(huì)影響氣相組分中的Si/C摩爾比，就像一場(chǎng)微妙的化學(xué)平衡舞蹈，一旦失衡，就會(huì)對(duì)晶體生長(zhǎng)產(chǎn)生不利影響，如同在建造高樓大廈時(shí)，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致整座建筑的搖搖欲墜。 而且，單晶中大部分雜質(zhì)都來(lái)源于SiC粉體，它們之間存在著緊密的線性關(guān)系。也就是說(shuō)，粉體的純度越高，單晶的質(zhì)量就越好。因此，制備高純度的SiC粉體成為了合成高質(zhì)量SiC單晶的關(guān)鍵所在，這就要求我們?cè)诜垠w合成過(guò)程中，必須嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，確保每一個(gè)“原料分子”都符合高標(biāo)準(zhǔn)。

高純SiC粉體合成方法

目前，合成高純SiC粉體主要有氣相法、液相法和固相法三種途徑。 氣相法通過(guò)巧妙控制氣源中的雜質(zhì)含量來(lái)獲取高純SiC粉體，其中包括CVD法和等離子體法。CVD法利用高溫反應(yīng)的魔法，能夠得到超細(xì)、高純的SiC粉體。例如，Huang等以(CH3)2SiCl2作為原料，在1100-1400℃的高溫“熔爐”中，成功制備出純度高、含氧量低的納米碳化硅粉體，如同在微觀世界里精心雕琢出一件件精美的藝術(shù)品。等離子體法則借助高能電子碰撞的力量，實(shí)現(xiàn)高純SiC粉體的合成。像Lin等采用微波等離子體法，將四甲基硅烷(TMS)作為反應(yīng)氣體，在高能電子的“沖擊”下，合成出高純的SiC粉體。不過(guò)，氣相法雖然純度高，但成本高昂且合成速率低，就像一位技藝精湛但收費(fèi)昂貴且工作效率不高的工匠，難以滿足大批量生產(chǎn)的需求。 液相法中，溶膠-凝膠法獨(dú)樹一幟，可以合成高純的SiC粉體。宋永才等以工業(yè)硅溶膠和水溶性酚醛樹脂為原料，在高溫下進(jìn)行碳熱還原反應(yīng)，最終得到SiC粉體。但液相法同樣面臨成本高、合成過(guò)程復(fù)雜的問(wèn)題，如同一條布滿荊棘的道路，雖然能通向目標(biāo)，但前行的代價(jià)和難度都較大，不太適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。 固相法中的改進(jìn)的自蔓延高溫合成法，是當(dāng)前使用范圍最廣、合成工藝最為成熟的SiC粉體制備方法。例如Jung等使用非晶炭黑和C粉作為原料，在高純Ar氣氛下高溫合成高純?chǔ)?SiC粉體。它的優(yōu)勢(shì)在于過(guò)程簡(jiǎn)單、合成效率高，就像一位勤勞樸實(shí)的農(nóng)夫，雖然干活麻利，但也存在一些不足，比如活化劑可能會(huì)引入雜質(zhì)，并且需要提高反應(yīng)溫度和持續(xù)加熱，這就像是在豐收的道路上，還需要克服一些小障礙才能收獲更優(yōu)質(zhì)的成果。