本文介紹了腔室壓力對刻蝕的影響。
腔室壓力是如何調節的?對刻蝕的結果有什么影響?
什么是腔室壓力? 腔室壓力是指在刻蝕設備的工藝腔室內的氣體壓力,通常以托(Torr)或帕斯卡(Pa)為單位。
腔室壓力由什么決定的?
1,氣體流量越高,壓力越大。
2,真空泵排氣,泵速越高,腔室壓力越低。
腔室壓力對于刻蝕的影響
1,離子轟擊能量。低壓力,分子平均自由程大,離子的碰撞幾率小,能量耗散少,故能量高。
2,離子與自由基的比例。低壓力時,離子的比例高,有利于物理刻蝕。高壓力時,自由基比例高,有利于化學刻蝕。
3,刻蝕均勻性。高壓力時,高頻碰撞會使氣體流速降低,自由基更容易擴散到晶圓表面各處,包括邊緣區域,整個晶圓表面接觸到的反應物濃度均勻,刻蝕速率趨于一致。
總結 隨著腔室壓力的提高,刻蝕反應逐漸由物理刻蝕到物理+化學刻蝕到化學刻蝕所轉變。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
原文標題:腔室壓力對刻蝕有什么影響?
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
相關推薦
一層原子。? ? ?? ALE的刻蝕原理? 如上圖,是用Cl2刻蝕Si的ALE反應示意圖。 第一步:向工藝腔中通入刻蝕氣體Cl2,Cl2吸附在目標材料Si上并與之發生反應,生成SiCl
發表于 12-20 14:15
?85次閱讀
在芯片制造過程中的各工藝站點,有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點殘留物去除掉,“刻蝕
發表于 12-16 15:03
?302次閱讀
說到濕法刻蝕了,這個是專業的技術。我們也得用專業的內容才能給大家講解。聽到這個工藝的話,最專業的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果想要了解,今天是一個不錯的機會,我們一起學習
發表于 12-13 14:08
?80次閱讀
本文介紹了刻蝕工藝參數有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個至關重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結構。它通過化學或物理方法去除材料層,以達到特定的設計要求。本文將介紹幾種關鍵的刻蝕參數,包括不完全
發表于 12-05 16:03
?387次閱讀
:晶圓表面不同區域的溫度由于加熱器分布不均可能會有差異,導致局部區域刻蝕速率不同,從而影響刻蝕均勻性。 2,氣體:氣體化學組成,氣體比例,氣體流量 氣體化學組成:干法刻蝕的腔
發表于 12-02 09:56
?319次閱讀
PDMS(聚二甲基硅氧烷)是一種常見的彈性體材料,廣泛應用于微流控芯片、生物傳感器和柔性電子等領域。在這些應用中,刻蝕工藝是實現微結構加工的關鍵步驟。濕法刻蝕和軟刻蝕是兩種常用的刻蝕方
發表于 09-27 14:46
?215次閱讀
口離子束刻蝕機 IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質或惰性材料.
發表于 09-12 13:31
?375次閱讀
上海2024年7月19日?/美通社/ -- 高溫腔室技術在 FDM 3D 打印領域一直備受關注,其應用價值也得到市場認可。然而,關于高溫腔室技術對打印機能力的影響,一直缺乏清晰的量化分
發表于 07-19 13:55
?417次閱讀
近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”)的電容耦合等離子體(CCP)刻蝕設備第3000臺反應腔順利付運國內一家先進的半導體芯片制造商。
發表于 04-23 14:20
?671次閱讀
此項專利主要涉及半導體工藝技術領域的設備改進,包含腔室主體、機械手和環狀體等部件。其中,機械手的固定端與腔室主體的底壁緊固銜接;而環狀體則呈環繞狀布置在
發表于 04-13 09:45
?510次閱讀
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于
發表于 04-12 11:41
?4957次閱讀
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁,是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側壁非常垂直,底部平坦。這是理想的刻蝕形態,它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。
發表于 03-27 10:49
?683次閱讀
影響深硅刻蝕的關鍵參數有:氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
發表于 02-25 10:44
?2793次閱讀
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程,通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分,通過掩膜和刻蝕參數的調控,可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換,從而形成所需
發表于 01-20 10:24
?7363次閱讀
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
發表于 01-19 16:02
?587次閱讀
評論