這是某電力產(chǎn)品的一個真實案例:一批電計量產(chǎn)品存在倉庫沒上線,剛好南方天濕氣重PCB上凝露,出現(xiàn)大量32768停振情況。所以今天我們要跟大家分享的就是32768晶振,后面我們還會提到幾個相關(guān)的案例和注意事項。
一張圖看盡石英晶振家族
圖片中已經(jīng)對Tuning Fork(音叉)圈出來了!這就是今天要說的32768晶振的本質(zhì)。壓電效應(yīng)、諧振、泛音這些基礎(chǔ)性的名詞此處不再贅述,不會的可以自行問度娘。
音叉不僅僅是個學(xué)名,而是真實的存在的結(jié)構(gòu)(圖中叉形部分就是切割好的石英)。
看完這個結(jié)構(gòu),后面講到一個案例(生產(chǎn)中32768大量損壞)時就容易理解了。
32768晶振要求配15pF電容嗎?
認(rèn)真的說,這是一個經(jīng)常出現(xiàn)的設(shè)計誤區(qū),包括網(wǎng)上很多關(guān)于32768晶振的問答。
我讀書時(忽略我的年紀(jì))也確實這樣做的:去電子市場買來32768晶振,參照別人的原理圖配上15pF,22pf的電容就直接用。現(xiàn)在來看,這只是入門級的經(jīng)驗值而已。
比如,同樣是日本KDS品牌的2*6封裝的32768晶振,就有兩種負(fù)載電容:
DT-26 32.768kHz 6PF 10PPM
DT-26 32.768kHz 12.5PF 10PPM
負(fù)載電容(英文符號CL或者CLoad)是2部分構(gòu)成的:一部分是焊接的物料/實際電容,另一部分是PCB走線、焊盤引起的寄生電容/雜散電容Cstray (一般2-5pF)。
至此,已經(jīng)解決了一部分人的疑惑:哦,原來晶振datasheet中的負(fù)載電容參數(shù),并不是我要貼的電容值。
計算公式和圖示如下:
你也許會有疑問:我用的MCU原廠提供的參考設(shè)計,根本就沒有圖中的RD和RF。
是的!沒錯!RD在目前流行的MCU中很少見。RF有少部分MCU或者IC還在用。
振蕩波形發(fā)生畸變、削峰時,可使用RD(幾十K到幾百K)。
RF常見采用1M歐姆,一般參照IC的datasheet,跟IC設(shè)計/內(nèi)部驅(qū)動有關(guān)。
問題來了:我見過有的單片機(jī)接了32768晶振,但是沒接負(fù)載電容的,是有這種情況嗎?
答案是肯定的,因為有的IC可以配置選用內(nèi)部的負(fù)載電容,比如Ti的MSP430x2xxx系列,內(nèi)部配備了1pF,6pF,10pF,12.5pF四檔負(fù)載電容可選。
32768晶振誤差有多大?
晶振的誤差用PPM(百萬分之一)來表示,誤差由三部分構(gòu)成:出廠誤差,溫度漂移,以及年老化率。
出廠誤差:一般是出廠前篩選控制一個范圍出來,比如±10PPM;
溫度漂移:如圖,32768晶振有個典型的溫度曲線;
年老化率:這個是很容易被忽視的參數(shù),但是關(guān)系到產(chǎn)品使用的壽命,比如RF通信中如果使用劣質(zhì)晶振、隨時間漂移較大,幾年后可能就通信不上了(特別是窄帶通信)。
這里也提到另外一個問題,就是前面圖中負(fù)載電容部分使用的2個電容CD和CG,通過微調(diào)這2個電容,可以微調(diào)晶振的頻率。在要求高的設(shè)計中,一般建議采用性能最穩(wěn)定C0G (EIA標(biāo)準(zhǔn),美國電工協(xié)會)或者NP0(美國軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL)材質(zhì)。
32768晶振誤差怎樣補(bǔ)償?
對時鐘要求不高的普通的消費電子應(yīng)用,32768晶振其實不用補(bǔ)償。有個例外,隨著智能手機(jī)的普及,BLE現(xiàn)已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于消費電子,但是它的32768晶振部分還是要好好設(shè)計和控制的(后面會提到)。
從圖片的幾個典型值來看,30個PPM每天漂不到3秒鐘嘛,有必要補(bǔ)償嗎?
做國網(wǎng)電表的朋友肯定不會這樣想,因為標(biāo)準(zhǔn)要求時鐘誤差小于每天0.5秒。這其實是一個頭疼事,因為這就要求出廠誤差加溫漂控制到小于5PPM。解決方案有兩個:
一、SoC方案,要求主控MCU配備支持誤差修正的RTC模塊以及溫度采集。TI的msp430系列,部分型號帶有RTC模塊,支持寫入校準(zhǔn)值和溫度補(bǔ)償值。鉅泉計量MCU,HT6xxx中也配備了帶補(bǔ)償?shù)腞TC模塊,如圖介紹。
二、使用外部已經(jīng)做了溫度修正的晶振模塊,eg. ST的M41TC8025,EPSON的RX-8025T等等。
32768用于BLE
BLE低功耗藍(lán)牙技術(shù),隨著iphone4S的熱賣得到了極大的推廣。
BLE低功耗的實現(xiàn)原理:絕大部分時間從機(jī)保持超低功耗休眠,包括關(guān)掉RF使用的高頻晶振(TI cc254x系列的32M,cypress BLE芯片的24M),間歇性的打開RF握手通信,保持鏈路的正常連接狀態(tài)。劃重點,這個時間間隔就是靠32768晶振來實現(xiàn)的。遇到過多家實際案例,如果這個晶振沒有做品質(zhì)控制,就很容易出現(xiàn)超時斷開。
例如,cypress PSoC datasheet中就支持軟件配置來補(bǔ)償這個休眠時鐘:
在TI芯片中也有類似的機(jī)制。
當(dāng)然,這不是哪家芯片廠自己想出來的;追根溯源,這個在bluetooth官方的specification中有明確的要求和約定。
32768晶振案例、設(shè)計、生產(chǎn)注意事項
A、注意手冊中的精度參數(shù)、負(fù)載電容、ESR等指標(biāo)。
B、插件封裝的32768晶振,有人喜歡外殼焊接接地。如果手工焊接,烙鐵溫度過高或者焊接時間太長,很容易造成晶振的永久性損壞。這個也是真實的生產(chǎn)案例。
C、文章開頭,南方天潮濕的這個案例中,晶振區(qū)域、相關(guān)引腳一定要涂三防漆保護(hù)。
D、超聲波焊接塑膠外殼,非常容易引起32768晶振的損壞(頻率接近,超聲波引起晶振內(nèi)音叉共振),這種真實案例也很多,切記!切記!
E、PCB layout中晶振布局和走線。網(wǎng)上也有,不多講,此處只給出幾個參考設(shè)計。
F、晶振、精密運放等器件,經(jīng)常是怕焊錫膏的。原因是什么?焊錫膏等對弱信號是有影響的。我們也有多個生產(chǎn)后測試不良(清洗后板子后工作正常)的案例。
CAMBRIDGE UNIVERSITY書中的幾個振蕩電路賞析
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