在正性光刻過程中，掩膜版（Photomask）作為圖形轉移的關鍵工具，其性能直接影響到最終圖形的精確度和質量。以下是正性光刻對掩膜版的主要要求：
圖案準確性
在正性光刻中，掩膜版上的圖案需要被準確地復制到光刻膠上。這意味著掩膜版上的每一個細節都必須清晰且無缺陷，因為任何細微的錯誤都會在后續的工藝步驟中被放大，影響最終產品的性能。
材料選擇
掩膜版通常由高純度的石英玻璃制成，因為石英玻璃具有優異的化學穩定性和光學透過率，能夠承受光刻過程中的高溫和高能輻射。此外，石英玻璃的熱膨脹系數低，有助于保持掩膜版在不同溫度下的尺寸穩定性。
精度和分辨率
掩膜版的精度和分辨率是決定光刻過程中能否實現亞微米甚至納米級圖形轉移的關鍵因素。掩膜版的最小線寬、CD（Critical Dimension）精度、位置精度等參數都需要達到極高的標準，尤其是在先進制程中，這些參數的要求會更加嚴格。
表面質量
掩膜版的表面質量對其性能至關重要。掩膜版表面必須平整，無夾砂、氣泡等微小缺陷，以確保光刻過程中光線的均勻透過和反射。任何表面缺陷都可能導致光刻膠上圖形的畸變或模糊。
制造工藝
掩膜版的制造工藝復雜，涉及多個精密步驟，包括CAM圖檔處理、光阻涂布、激光光刻、顯影、蝕刻、脫膜、清洗、宏觀檢查、自動光學檢查、精度測量、缺陷處理、貼光學膜等。每個步驟都需要高度精確的控制，以確保最終掩膜版的質量。
綜上所述，正性光刻對掩膜版的要求涵蓋了圖案準確性、材料選擇、精度和分辨率、表面質量以及制造工藝等多個方面。只有滿足這些嚴格要求的掩膜版，才能確保光刻過程的成功和最終產品的高質量。
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審核編輯 黃宇