產品簡述

MS8551/8552/8554 是輸入輸出軌到軌的高精度運算放大器，它

有極低的輸入失調電壓和偏置電流，單電源電壓范圍為 1.8V 到 5V。

軌到軌的輸入輸出范圍使 MS8551/8552/8554 可以輕松地放大高

電平和低電平的傳感信號。所有特性使得 MS8551/8552/8554 成為溫

度、位置和壓力傳感器，醫療設備以及應變計放大器的理想選擇，其

他工作在 1.8V 到 5V 的需要高精度和長期穩定性的應用也同樣適合。

MS8551/8552/8554 可以適用于工業級的溫度范圍（-40°C 到

+125°C）。

主要特點

?低失調電壓：1μV (TYP)

?軌到軌的輸入輸出擺幅

?單電源 1.8V 到 5.5V 的工作范圍

?電壓增益：145dB(TYP)（工作電壓 5V）

?電源抑制比：120dB(TYP)

?共模抑制比：120dB(TYP)

?極低輸入偏置電流：10pA

?低的工作電流：每個通道 800μA(TYP)

?過載恢復時間：50μs（工作電壓 5V）

?不需要額外的外部電容

應用

? 溫度測量

? 壓力傳感器

?高精度電流傳感

?電子稱

? 應變計放大器

? 醫療儀器

? 熱偶放大器

? 手持測試設備

產品規格分類

產品分檔信息

管腳圖

管腳說明

極限參數

芯片使用中，任何超過極限參數的應用方式會對器件造成永久的損壞，芯片長時間處于極限工作

狀態可能會影響器件的可靠性。極限參數只是由一系列極端測試得出，并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

電氣參數(5V)

若無特別說明，Vs=+5V, VCM=+2.5V, Vo=+2.5V, TA=25°C。

電氣參數(2.7V)

若無特別說明，Vs=+2.7V, VCM=+1.35V, Vo=+1.35V, TA=25°C。

典型性能參數

如有需求請聯系——三亞微科技 王子文（16620966594）

典型應用

5V 高精度應變計電路

極低的輸入失調電壓使得 MS8551/8552/8554 成為需要高精度和高增益應用的理想選擇，例如電

子稱或者應變計，圖 1 展示了一個單電源高精度的應變計測量系統。

REF192 為放大器 A2 提供一個 2.5V 的高精度參考電壓，A2 把參考電壓提高到 4.0V，提供給應變計

電阻橋的定電壓，Q1 為 350Ω 的橋式網絡提供電流。A1 通常用來放大電阻橋的滿幅輸出，這個輸出電

壓等于 2×(R1+R2)/RB，其中 RB 為橋式網絡的負載阻抗。

使用圖 1 中的值，輸出電壓從沒有形變的 0V 線性變化到完全形變的 4.0V。

在圖 3 所示的三運放儀表放大器電路中，如果四個電阻值相同，差分放大器輸出電壓為單位增

益。如果使用的電阻的容差為 δ，那么最差情況下儀表放大器的 CMRR 為：CMRRMIN=1/2δ。

使用 1%容差的電阻，系統最差情況下 CMRR 為 0.02 或 34dB，所以電路中使用了高精度的電阻，

還附加了一個修調電阻，這樣可以達到很高的共模抑制。修調電阻的值應該等于電阻值 R 乘以容差。

例如，使用容差為 1%的 10kΩ 電阻，需要串聯一個 100Ω 的修調電阻。

高精度的熱偶放大器

圖 4 展示了使用冷結補償的 K-type 熱偶放大器電路。即使使用 5V 的電源，MS855x 也可以為 0°C

到 500°C 范圍內低于 0.02°C 的分辨率提供足夠的精度。D1 用作溫度測量器件，來矯正耦合的冷結誤

差，所以 D1 應該離兩個終止結盡可能近。當熱偶測量端浸在 0℃的冰水時，調節 R6 直到系統輸出

0V。

使用圖 4 中的值，那么輸出電壓與溫度比例為 10mV/℃。如果為了達到更大的溫度測量范圍，R8

可以減小到 62kΩ。這樣在輸出端產生 5mV/°C 的變化，允許的測量范圍增加到 1000°C。

高精度的電流表

單電源下低輸入偏置電流以及極低失調電壓讓 MS8551/8552/8554 成為高精度電流測量的理想放

大器。軌到軌的輸入可以監測電流源和電流沉，一顆 MS8552 就可以完成這樣的工作。

圖 5 是監測電流源的電路圖。在這個電路中，放大器的輸入共模電壓在正的電源電壓附近，軌到

軌的輸入使得即使共模電壓在電源電壓附近也可以得到精確的放大，CMOS 的輸入結構不吸取任何輸

入偏置電流，保證了測量的最小誤差。

0.1Ω 的電阻在 MS8551/8552/8554 的反向端產生一個壓降，只有在反向端有一個壓降時，放大器

的輸出才正常，就會有一個電流通過 R1，同時流過 R2，監測輸出電壓為：

如有需求請聯系——三亞微科技 王子文（16620966594）

高精度電壓比較器

MS8551/8552/8554 可以工作在開環條件下，被用作一個高精度電壓比較器。在這種條件下，

MS8551/8552/8554 的失調電壓小于 50μV。失調電壓的微小增加是因為自動校正結構只有在閉環（有

一個負反饋）時才能保持低失調，由于有 50mV 的過驅動電壓，芯片在上升沿有 15μs 的延時，下降沿

有 8μs 的延時。確保芯片的差分輸入電壓不超過過驅動電壓。

封裝外形圖

SOT23-5

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇