一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰

修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質量。然而，修邊過程中由于機械應力、熱應力以及工藝參數的精確控制難度，往往會導致襯底表面TTV的變化，進而影響后續加工工序和最終產品的性能。

二、影響修邊處理后TTV變化的關鍵因素

修邊工藝：修邊工藝的選擇直接影響TTV的變化。不同的修邊工藝，如機械磨削、激光切割、水切割等，對碳化硅襯底的加工精度和表面質量有不同的影響。

工藝參數：包括修邊速度、進給量、切削深度等。這些參數直接影響修邊過程中的機械應力和熱應力分布，從而影響TTV的變化。

襯底初始狀態：襯底的初始厚度、硬度、脆性等物理性質也會影響修邊后的TTV。初始狀態的不均勻性會加劇修邊過程中的不均勻性。

設備精度：修邊設備的精度和穩定性對TTV的變化有重要影響。高精度的修邊設備能夠更精確地控制修邊過程，從而減少TTV的變化。

三、修邊處理后TTV變化管控的策略

優化修邊工藝：根據碳化硅襯底的物理性質和加工要求，選擇合適的修邊工藝。通過實驗驗證和模擬仿真，優化工藝參數，如修邊速度、進給量、切削深度等，以減少TTV的變化。

提高設備精度：采用高精度的修邊設備，確保修邊過程中的穩定性和精確性。定期對設備進行維護和校準，以保證其長期使用的精度和可靠性。

改善襯底初始狀態：采用先進的襯底制備工藝，提高襯底的初始厚度均勻性和表面質量。通過嚴格的檢測手段，確保襯底在修邊前的初始狀態符合加工要求。

引入先進檢測技術：在修邊處理后，采用高精度的測量儀器對襯底的TTV進行實時監測和反饋。根據測量結果，及時調整修邊工藝和參數，確保產品質量的穩定性和一致性。

實施質量控制體系：建立完善的質量控制體系，對修邊處理過程中的各個環節進行嚴格控制。通過定期的質量檢測和數據分析，及時發現和解決潛在的質量問題，確保碳化硅襯底的質量穩定可靠。

四、結論與展望

碳化硅襯底修邊處理后TTV變化的管控是確保碳化硅襯底加工精度和可靠性的重要環節。通過優化修邊工藝、提高設備精度、改善襯底初始狀態、引入先進檢測技術以及實施質量控制體系，我們可以有效降低修邊處理后的TTV變化，提高碳化硅襯底的一致性和可靠性。未來，隨著碳化硅材料在半導體領域的廣泛應用，對碳化硅襯底TTV控制的要求將越來越高。因此，我們需要不斷探索和創新，以更加高效、精準的方式實現碳化硅襯底的高質量加工，推動碳化硅半導體產業的發展。

五、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標；

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

1，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，一改過去傳統晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。