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Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET,性能再升級(jí)

科技綠洲 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-12-24 09:15 ? 次閱讀

Nexperia公司近日宣布,成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET,這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的CCPAK1212封裝技術(shù)。這一突破性設(shè)計(jì)不僅提升了功率密度,還帶來(lái)了卓越的性能表現(xiàn),滿足了電機(jī)控制電源管理、可再生能源系統(tǒng)以及高耗電應(yīng)用等領(lǐng)域的嚴(yán)格要求。

CCPAK1212封裝采用了獨(dú)特的銅夾片設(shè)計(jì),能夠承載更高的電流,同時(shí)寄生電感更低,熱性能更加出色。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)使得這些MOSFET在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,成為電機(jī)控制、電源管理等領(lǐng)域的理想選擇。

此外,該系列還包含專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET(ASFET),進(jìn)一步拓寬了應(yīng)用范圍。采用CCPAK封裝的MOSFET提供了頂部和底部散熱選項(xiàng),確保了高功率密度下的可靠性,為用戶提供了更為可靠的解決方案。

值得一提的是,所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè),并配備了Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),方便用戶進(jìn)行無(wú)縫集成。這一舉措不僅提升了產(chǎn)品的易用性,還進(jìn)一步鞏固了Nexperia在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。未來(lái),Nexperia將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新,為用戶提供更多高性能、高可靠性的功率MOSFET產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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