如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。

電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。

電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的OpenRack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100%負載下的峰值效率達到97.5%以上，并且10%到30%負載下的最低效率達到94%。

電源拓撲

作為PSU中交流/直流轉換的關鍵部分，在功率因數校正(PFC)級實現高能效至關重要，該級負責調整輸入電流，從而最大限度地提高有用功率與總輸入功率的比率。為滿足IEC61000-3-2 等法規中的電磁兼容性(EMC)標準，并確保符合ENERGYSTAR等能效規范，PFC設計是關鍵所在。

在許多應用中，最佳方法是采用“圖騰柱”PFC拓撲，這種拓撲通常用于數據中心3kW 至8kW 系統的PFC功能塊。圖騰柱PFC級基于MOSFET，通過移除體積大且損耗高的橋式整流器，提高了交流電源的能效和功率密度。

圖：圖騰柱PFC拓撲

為了達到97.5%的能效，圖騰柱PFC需要使用碳化硅(SiC)等“寬禁帶”半導體的MOSFET。如今，所有PFC級均采用SiCMOSFET 作為快速開關橋臂，并使用硅基超級結MOSFET作為相位或慢速橋臂。

與超級結MOSFET等硅(Si)MOSFET 相比，SiCMOSFET 具有更好的性能和更高的能效。它們在高溫下表現出色，具有更強的穩健性，并能在更高的開關頻率下運行。

與SiMOSFET 相比，SiCMOSFET 在輸出電容中存儲的能量(EOSS)更少，這在PFC級的低負載條件下至關重要，因為在低負載運行下，開關損耗在整個MOSFET功耗中占據了主要部分。較低的EOSS和柵極電荷可最大限度地減少開關過程中的能量損失，從而提高圖騰柱PFC快速橋臂的能效。此外，由于SiC器件具有出色的熱導率，相當于硅基器件的三倍，因此與SiMOSFET 相比，SiCMOSFET 具有更好的正溫度系數RDS(ON)。

這意味著，SiCMOSFET 的導通電阻在結溫升高時增幅小于SiMOSFET。在175oC等高溫下，SiCMOSFET 的導通損耗較低，而導通損耗在總功率損耗中占據主要部分。

下表比較了目前市面上的650V超級結MOSFET與安森美(onsemi)650V SiC MOSFET 的關鍵參數。

SiCMOSFET 助力實現高能效

在眾多SiCMOSFET 產品中，安森美650V M3S EliteSiC MOSFET（包括NTBL032N065M3S和NTBL023N065M3S）提供了出眾的開關性能，并顯著提高了超大規模數據中心的PFC和LLC級能效。

M3SEliteSiC 技術性能遠遠超過其前代產品，其中柵極電荷降低了50%，EOSS降低了44%，輸出電容中存儲的電荷(QOSS)也減少了44%。用于PFC級的硬開關拓撲中時，這個出色的EOSS數值能夠提高輕載下的系統能效。此外，較低的QOSS簡化了LLC級軟開關拓撲的諧振儲能電感設計。

得益于出色的開關性能和能效，M3SEliteSiC MOSFET 散發的熱量更少。此外，MOSFET的柵極電荷Qg在同電壓等級的產品中表現出色，能夠降低柵極驅動損耗。同時，出色的Qgs和Qgd也有效降低了開關導通和關斷損耗。

在LLC功能塊中，當VDS從關斷狀態轉換到二極管導通狀態時，需要對輸出電容進行放電。為了快速完成這一過程，必須使用低瞬態輸出電容。瞬態COSS之所以重要，是因為它可以最大限度地減少諧振儲能的循環損耗，并縮短LLC的死區時間，從而減少初級側的循環損耗。低導通電阻能夠最大限度地減少導通損耗，而低EOFF有助于最大限度地減少開關損耗。

總體而言，提升系統能效是最重要的性能標準，這使得SiCMOSFET 成為數據中心PFC和LLC級的首選方案。

相較于市場上的眾多其他SiCMOSFET 產品，基于相同的RDS(ON)，安森美650VEliteSiC MOSFET 在成本、EMI、高溫運行和開關性能方面，可與超級結MOSFET競爭。650VM3S EliteSiC MOSFET 的RDS(ON)低于相同封裝的超級結MOSFET，這提升了LLC拓撲的系統能效，同時，由于其開關損耗遠低于硅基替代品，因此性能表現優于后者。

圖：M3S650V EliteSiC MOSFET 產品組合