一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰

濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會導致襯底表面TTV的增加，進而影響后續加工工序和最終產品的性能。

二、影響濕法腐蝕后TTV的關鍵因素

腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐蝕速率和均勻性。不同的腐蝕液對碳化硅的腐蝕行為不同，選擇合適的腐蝕液對于控制TTV至關重要。

腐蝕條件：包括溫度、濃度、攪拌速度等。這些因素直接影響腐蝕液與襯底表面的反應速率和均勻性，進而影響TTV。

襯底質量：襯底的初始表面質量、晶格缺陷等也會影響濕法腐蝕后的TTV。高質量的襯底能夠減少腐蝕過程中的不均勻性。

工藝參數：如腐蝕時間、腐蝕液與襯底的接觸方式等。這些參數直接影響腐蝕深度和均勻性，進而影響TTV。

三、優化濕法腐蝕后TTV管控的策略

優化腐蝕液配方：通過實驗篩選，選擇對碳化硅具有均勻腐蝕速率的腐蝕液配方。同時，考慮腐蝕液的穩定性和環保性，確保長期使用的可行性和可持續性。

精確控制腐蝕條件：采用高精度溫控設備和攪拌系統，確保腐蝕過程中溫度、濃度和攪拌速度的精確控制。通過實時監測和調整腐蝕條件，保持腐蝕速率的穩定性和均勻性。

提升襯底質量：采用先進的襯底制備工藝，提高襯底的初始表面質量和晶格完整性。通過嚴格的檢測手段，確保襯底質量符合加工要求。

優化工藝參數：通過模擬仿真和實驗驗證，優化腐蝕時間、腐蝕液與襯底的接觸方式等工藝參數。確保腐蝕深度和均勻性達到最佳狀態，從而降低TTV。

引入先進檢測技術：在濕法腐蝕后，采用高精度的測量儀器對襯底的TTV進行實時監測和反饋。根據測量結果，及時調整工藝參數，確保產品質量的穩定性和一致性。

四、結論與展望

優化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV的管控是提升碳化硅襯底加工精度和可靠性的重要手段。通過優化腐蝕液配方、精確控制腐蝕條件、提升襯底質量、優化工藝參數以及引入先進檢測技術，我們可以有效降低濕法腐蝕后的TTV，提高碳化硅襯底的一致性和可靠性。未來，隨著碳化硅材料在半導體領域的廣泛應用，對碳化硅襯底TTV控制的要求將越來越高。因此，我們需要不斷探索和創新，以更加高效、環保、可靠的方式實現碳化硅襯底的高質量加工。

五、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標；

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

1，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，一改過去傳統晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。